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公开(公告)号：CN101657909A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880006499.X
申请日：2008-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种通过提高光利用率、能够提高发电效率的太阳电池模块。密封材(202)为第1层(由于保护玻璃(201)与密封材(202)的折射率大致相同，因此在光学方面考虑为相同)、聚光膜(300)为第2层、反射防止层(104)为第3层、n型层(103)为第4层，而且各层的各折射率为，第1折射率n 1 、第2折射率n 2 、第3折射率n 3 、第4折射率n 4 ，则n 1 ≤n 2 ≤n 3 ≤n 4 成立，作为这些透光层中的一层的第2层的聚光膜(300)如上所述使入射光(205)的入射侧(300a)成为凹凸形状。
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公开(公告)号：CN101194187A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020396.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B1/113
Abstract: 本发明提供一种防反射膜的形成方法，其具有同时进行在玻璃体表面上形成的包含防反射膜前体的涂膜的烧结处理和所述玻璃体的强化处理的工序。由此，能够以充分低的成本形成防反射膜。
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公开(公告)号：CN102844882A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180016839.9
申请日：2011-03-28
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 三菱电机股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/0481 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的波长变换型太阳能电池密封片材含有分散介质树脂和在300～450nm具有吸收波长峰的荧光物质，且除该荧光物质以外的紫外线吸收剂的含有率相对于分散介质树脂100质量份为0.15质量份以下。另外，本发明的太阳能电池组件具有太阳能电池单元和所述波长变换型太阳能电池密封片材。
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公开(公告)号：CN102844882B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201180016839.9
申请日：2011-03-28
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 三菱电机股份有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/048
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/0481 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的波长变换型太阳能电池密封片材含有分散介质树脂和在300～450nm具有吸收波长峰的荧光物质，且除该荧光物质以外的紫外线吸收剂的含有率相对于分散介质树脂100质量份为0.15质量份以下。另外，本发明的太阳能电池组件具有太阳能电池单元和所述波长变换型太阳能电池密封片材。
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公开(公告)号：CN102077359A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880129990.1
申请日：2008-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0504 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在第1导电类型的半导体基板的一面侧形成第2导电类型的杂质扩散层及反射防止膜，在反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料，在半导体基板的另一面侧形成钝化膜，在钝化膜的至少一部分形成达到半导体基板的另一面侧的多个开口部，以掩埋多个开口部且不与邻接的开口部的第2电极材料接触的方式涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第1电极材料，以与所涂敷的所有第2电极材料接触的方式在钝化膜上涂敷第3电极材料，在第1电极材料及第3电极材料的涂敷后以规定的温度加热半导体基板，从而同时形成贯通反射防止膜而与杂质扩散层电连接的第1电极、在半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域及与高浓度区域电连接的第2电极和第3电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101913209A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010255701.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。
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公开(公告)号：CN106409923A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610982274.4
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括：第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
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公开(公告)号：CN101783370A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910004883.2
申请日：2009-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L23/36
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块可以具有充分的散热性，且具有轻量、成本低廉的散热装置。所述太阳能电池模块具有：透光性盖板；具有非受光面和与所述透光性盖板的背面对置的受光面的太阳能电池单元；以及具有与所述太阳能电池单元的非受光面对置的背面的散热板；其中，作为所述散热板，使用由包含石墨的材料制成、且实施了作为散热鳍片的凹凸加工而成的散热板。
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公开(公告)号：CN101088167A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580017453.4
申请日：2005-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极，得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。
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公开(公告)号：CN110168743A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780078929.8
申请日：2017-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 太阳能电池模块制造方法包括：焊剂涂敷工序，将焊剂涂敷在具有第一面和与第一面相向的第二面的太阳能电池单元中的设在第一面上的第一面连接电极和设在第二面上的第二面连接电极；及层叠工序，将表面由无铅焊锡包覆的第一极耳线、第二面朝上的太阳能电池单元和表面由无铅焊锡包覆的第二极耳线层叠在热板上。另外，太阳能电池模块制造方法包括：按压工序，由按压装置从上部按压第二极耳线；预备加热工序，由热板将太阳能电池单元预备加热到既定的预备加热温度；及加热工序，由灯加热器的红外线从第二面侧将太阳能电池单元加热到既定的加热温度。
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