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公开(公告)号：CN102959717B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201080067350.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备：第1导电类型的半导体基板（2），在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层（3）；受光面侧电极（5），与所述杂质扩散层（3）电连接地形成于所述半导体基板（3）的一面侧；以及背面侧电极（7），形成于所述半导体基板（2）的另一面侧，在包括所述杂质扩散层（3）的所述半导体基板（2）的一面侧中的形成了所述受光面侧电极（5）的受光面侧电极形成区域，具备具有四角锥形状的第1凸部的第1凹凸构造，在包括所述杂质扩散层（3）的所述半导体基板（2）的一面侧中的未形成所述受光面侧电极（5）的区域，具备具有比所述第1凸部大的四角锥形状的第2凸部的第2凹凸构造。
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公开(公告)号：CN103314455B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180065177.4
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备：第1导电类型的半导体基板11，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层3；受光面侧电极5，与所述杂质扩散层3电连接而形成于所述半导体基板11的一面侧；以及背面侧电极7，形成于所述半导体基板11的另一面侧，在所述半导体基板11的另一面侧的表面具有第1凹凸形状2a，在所述半导体基板11的一面侧的表面的至少一部分，具有第2凹凸形状2b，该第2凹凸形状2b具有比所述第1凹凸形状2a低的光反射率，所述半导体基板11的一面侧的光反射率低于所述半导体基板11的另一面侧的光反射率。
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公开(公告)号：CN103688370B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180072355.6
申请日：2011-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L22/12 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 包括：第1工序，在第1导电类型的半导体基板的两面形成纹理构造；第2工序，测定形成了所述纹理构造的所述半导体基板的两面中的反射率分布；第3工序，在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布小的一面侧形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第4工序，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的规定的图案的受光面侧电极；以及第5工序，在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布大的另一面侧形成背面侧电极。
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公开(公告)号：CN105324850A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN103688370A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201180072355.6
申请日：2011-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L22/12 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 包括：第1工序，在第1导电类型的半导体基板的两面形成纹理构造；第2工序，测定形成了所述纹理构造的所述半导体基板的两面中的反射率分布；第3工序，在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布小的一面侧形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第4工序，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的规定的图案的受光面侧电极；以及第5工序，在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布大的另一面侧形成背面侧电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484148B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980161091.4
申请日：2009-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , H02S50/10 , Y02E10/547
Abstract: 一种在半导体基板的一面侧设置了具有栅电极的受光面侧电极的太阳能电池单元的制造方法，包括：第1工序，在第1导电类型的所述半导体基板的一面侧，形成扩散了第2导电类型的杂质的杂质扩散层；第2工序，在所述杂质扩散层的面内的多个测定点，测定所述杂质扩散层的薄膜电阻值；以及第3工序，与所述测定出的所述杂质扩散层的表面的薄膜电阻值对应地，将所述杂质扩散层的面内划分为多个区域，针对每个所述区域设定相邻的所述栅电极彼此之间的距离，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的所述受光面侧电极。
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公开(公告)号：CN103314455A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180065177.4
申请日：2011-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 唐木田昇市
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备：第1导电类型的半导体基板11，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层3；受光面侧电极5，与所述杂质扩散层3电连接而形成于所述半导体基板11的一面侧；以及背面侧电极7，形成于所述半导体基板11的另一面侧，在所述半导体基板11的另一面侧的表面具有第1凹凸形状2a，在所述半导体基板11的一面侧的表面的至少一部分，具有第2凹凸形状2b，该第2凹凸形状2b具有比所述第1凹凸形状2a低的光反射率，所述半导体基板11的一面侧的光反射率低于所述半导体基板11的另一面侧的光反射率。
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公开(公告)号：CN101913209B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010255701.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。
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公开(公告)号：CN101132896A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200580048866.9
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅块及硅片的制造方法，其为了提供可以制造成在制造太阳能电池时基板损坏少、厚度薄的硅片的硅块，而使用含有磨粒和碱性物质的硅锭切割用浆液，切割硅锭来制造硅块，所述碱性物质的含量相对于所述浆液的液体成分整体的质量至少为3.5质量％；所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺；所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下使用所述浆液。
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公开(公告)号：CN105324850B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
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