公开(公告)号：CN105324850A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035248.X

申请日：2014-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 告野元 ,  野野垣光裕 ,  小林淳二 ,  大城裕介 ,  川崎隆裕 ,  唐木田昇市

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。

公开(公告)号：CN105324850B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480035248.X

申请日：2014-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 告野元 ,  野野垣光裕 ,  小林淳二 ,  大城裕介 ,  川崎隆裕 ,  唐木田昇市

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。