公开(公告)号：CN107924956B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201580082173.5

申请日：2015-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭 ,  西野裕久 ,  中泽幸子 ,  浜笃郎 ,  细川雄一朗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。

公开(公告)号：CN107924956A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082173.5

申请日：2015-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭 ,  西野裕久 ,  中泽幸子 ,  浜笃郎 ,  细川雄一朗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。