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公开(公告)号：CN100580936C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710162205.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率高、显示品质优良的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置，具有：衬底；栅极绝缘膜(5)，设置在衬底上，配置在半导体层与包含电容电极(6)和栅电极(15)的第一导电层之间；层间绝缘膜(8)，形成在半导体层、第一导电层以及栅极绝缘膜(5)的上层；第二导电层，形成在层间绝缘膜(8)上，包含信号线(9)；保护膜(10)，形成在层间绝缘膜(8)以及第二导电层上；形成在保护膜(10)上的像素电极层(12)，其中，像素电极层(12)贯通保护膜(10)到达第二导电层，并且，贯通保护膜(10)、层间绝缘膜(8)以及栅极绝缘膜(5)到达半导体层，半导体层和第二导电层通过像素电极层(12)连接。
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公开(公告)号：CN101196668A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710198911.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/027 , H01L21/84
CPC classification number: H01L28/60 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。
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公开(公告)号：CN101159273A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710162205.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率高、显示品质优良的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置，具有：衬底；栅极绝缘膜(5)，设置在衬底上，配置在半导体层与包含电容电极(6)和栅电极(15)的第一导电层之间；层间绝缘膜(8)，形成在半导体层、第一导电层以及栅极绝缘膜(5)的上层；第二导电层，形成在层间绝缘膜8上，包含信号线(9)；保护膜(10)，形成在层间绝缘膜8以及第二导电层上；形成在保护膜(10)上的像素电极层(12)，其中，像素电极层(12)贯通保护膜(10)到达第二导电层，并且，贯通保护膜(10)、层间绝缘膜(8)以及栅极绝缘膜(5)到达半导体层，半导体层和第二导电层通过像素电极层(12)连接。
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公开(公告)号：CN101140941A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148266.0
申请日：2007-09-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 今村卓司
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78633 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种能够以简单的结构减少来自多晶硅的漏电流、得到稳定的保持特性的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置具有：形成在绝缘衬底(11)上的作为基底膜的氧化硅膜(13)以及氮化硅膜(14)；形成在该基底膜上的多晶硅电极上(18)；形成在该多晶硅电极(18)上的栅极绝缘膜(16)；在栅极绝缘膜(16)上形成在与多晶硅电极(18)对置的位置上的栅极金属电极(17)。并且，栅极金属电极(17)以在上面图中覆盖多晶硅电极(18)的边缘部的一部分或者全部的方式形成。
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