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公开(公告)号：CN101256315A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810007708.4
申请日：2008-02-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: C08G73/10 , G02F1/133723 , Y10T428/1023
Abstract: 本发明提供了一种适用于生产液晶显示装置的液晶取向剂。所述液晶取向剂含有选自聚酰胺酸和可溶性聚酰亚胺中的至少一种聚合物、非质子极性溶剂以及单乙二醇二甲醚或二丙二醇二甲醚。所述液晶取向剂具有令人满意的可印刷性。本发明还提供了使用所述取向剂形成的液晶取向层。所述液晶取向层非常均匀。
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公开(公告)号：CN101042533A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710007513.5
申请日：2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)
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公开(公告)号：CN1927845A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510098322.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D251/30 , C09K19/38
CPC classification number: C08G73/1085 , G02F1/133723 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1018
Abstract: 在此公开了一种LC取向剂，其使用了具有树枝状侧链的二胺。具体而言，本发明涉及一种用于LC取向膜的组合物，其使用具有树枝状侧链的二胺来制备聚酰胺酸，接下来进行酰酰亚胺化反应。当该LC取向膜应用于液晶显示装置时，保证了高耐热性、可见光区的高穿透性、优良的取向性和高电压保持率。即使其包含了少量的官能化二胺，也能够确保高的预倾角。因此容易控制该预倾角并且提高了垂直取向力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102713758B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101796101B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200780100521.2
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。
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公开(公告)号：CN102819192A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210272558.6
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。
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公开(公告)号：CN102060981B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010566229.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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