公开(公告)号：CN108930028B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201810223693.9

申请日：2018-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  金铉埈 ,  李珍宣 ,  林载顺

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。

公开(公告)号：CN113314670A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011020909.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  李载昊

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。

公开(公告)号：CN112071981A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010263653.4

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件及其制造方法，其中该集成电路器件包括：包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。

公开(公告)号：CN108930028A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810223693.9

申请日：2018-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  金铉埈 ,  李珍宣 ,  林载顺

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。

公开(公告)号：CN108149222A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711247397.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  全相勇 ,  李刚镛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C07F7/22

CPC classification number: C07F7/2284 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。

公开(公告)号：CN112768436B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。

公开(公告)号：CN110504219B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN106972016B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN112993158A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011097721.0

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器结构和一种包括该电容器结构的半导体装置，所述电容器结构包括：下电极，位于基底上；种子层，位于下电极上；介电层，位于种子层上；以及上电极，位于介电层上，其中，介电层包括化学式为ABO3的三元金属氧化物，其中，A和B中的每个独立地为金属，并且种子层包括化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物，化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物中的A和B中的每个是与化学式为ABO3的三元金属氧化物中的A和B相同的金属，0

公开(公告)号：CN112768436A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。