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公开(公告)号：CN118349125A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410067546.2
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种触摸检测装置、包括其的显示装置及驱动显示装置的方法，所述触摸检测装置将基于正交载波和CDMA方案生成的驱动信号供应给驱动电极。触摸驱动电路驱动包括第一组和第二组的组中的驱动电极，将基于指定的第一频率和被设定为分别与第一组的驱动电极对应的第一正交码的第一驱动信号供应给第一组的驱动电极，并且将基于与第一频率正交的第二频率和被设定为分别与第二组的驱动电极对应的第二正交码的第二驱动信号供应给第二组的驱动电极。
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公开(公告)号：CN118276636A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310383396.1
申请日：2023-04-11
Applicant: 斯凯芯片有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明提供了用于从输入源提取最大功率的方法和能量收集系统。当所述能量收集系统包括转换器、感测部分、人工智能AI计算器和电阻器部分时，所述方法包括：利用所述感测部分感测来自所述输入源的输入电压和输入电流，通过模数转换器ADC块将对应于模拟值的所述输入电压和所述输入电流转换为数字值，并将所述数字值传输给AI计算器；利用所述AI计算器基于所述数字值计算输入功率，并基于所述输入功率获取用于提取最大功率的最优采样比；基于所述最优采样比控制电阻分压器比值，以使采样比与所述最优采样比相等；以及通过所述转换器执行调节操作。
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公开(公告)号：CN117896822A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310933470.2
申请日：2023-07-26
Applicant: 斯凯芯片有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本公开涉及一种室内无线定位方法，包括：接收来自接收单元的初始接收信号强度指示RSSI信息；在指纹数据库中搜索与测得的初始RSSI信息匹配的指纹；确定与检索到的指纹对应的第一位置为接收单元的初始位置；接收来自接收单元的附加RSSI信息；提取附加RSSI信息与初始RSSI信息之间的可变性特征；在可变性指纹数据库中搜索与初始位置和提取的RSSI可变性特征相匹配的可变性指纹；以及当与检索到的可变性指纹对应的第二位置与初始位置不同时，将第二位置更新为接收装置的当前位置，其中第二位置是以第一位置为中心的预设距离范围内的候选区域中的位置。
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公开(公告)号：CN106208754B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610096168.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H02M7/217
Abstract: 本发明提供一种整流器，所述整流器包括：第一高侧开关和第二高侧开关，包括连接到交流输入端的源极端以及连接到输出电容器的一端的漏极端；第一低侧开关和第二低侧开关，包括连接到交流输入端的漏极端以及连接到地端和输出电容器的另一端的源极端；交叉连接器，被配置为当第一高侧开关或第二高侧开关断开时，允许第一高侧开关或第二高侧开关的寄生电容流到地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106208754A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610096168.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H02M7/219 , H02M2007/2195 , H03K17/161 , H03K2217/0045 , Y02B70/1408 , H02M7/217 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明提供一种整流器，所述整流器包括：第一高侧开关和第二高侧开关，包括连接到交流输入端的源极端以及连接到输出电容器的一端的漏极端；第一低侧开关和第二低侧开关，包括连接到交流输入端的漏极端以及连接到地端和输出电容器的另一端的源极端；交叉连接器，被配置为当第一高侧开关或第二高侧开关断开时，允许第一高侧开关或第二高侧开关的寄生电容流到地。
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公开(公告)号：CN103532548A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210352257.4
申请日：2012-09-20
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明提供了一种模拟-数字信号转换方法及其装置，以及包括所述方法和装置的数字锁相环电路。模拟-数字信号转换方法可以包括：通过将从N个延时元件的输出端检测的N个延时信号与基准信号相比较产生具有N个比特的第一数字输出信号；通过将由第（N+1）个延时元件产生的辅助延时信号与基准信号相比较产生第二数字输出信号；以及基于第一数字输出信号以及第二数字输出信号确定N个延时元件中的每一个的延迟时间的改变。
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公开(公告)号：CN101232022A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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公开(公告)号：CN101017825A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710004792.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L27/10891 , H01L29/42356 , H01L29/66666
Abstract: 提供了具有能够减小围绕有源柱的栅电极和连接栅电极的字线之间的界面接触阻抗的垂直沟道的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括多个有源柱，在垂直于半导体衬底的表面的方向上延伸。字线结构形成在外周边上，用于连接在相同的行或列中设置的有源柱。与字线结构相关，顶和底源区/漏区分别形成在有源柱之上和之下。
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公开(公告)号：CN101232022B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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