公开(公告)号：CN104969129A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007310.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  辛成健

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。

公开(公告)号：CN101025579A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710000701.5

申请日：2007-01-10

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，尤其涉及一种包含选自具有双氧键的环状化合物、乙二醇类化合物及碳酸类化合物中的化合物的抗蚀剂剥离剂组合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可进一步包含内酯类化合物、胺或有机酸、氧化剂或其混合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物，可用于去除在电路或显示元件金属布线的图形化中所使用的抗蚀剂，其对图形化金属膜上所残留的抗蚀剂具有优秀的剥离效果，并在高温下，其因挥发而引起的成分变化及药液疲劳度极小，且能将对图形化金属膜的腐蚀降到最低。

公开(公告)号：CN1950755A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014564.X

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示器件图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体地说，涉及一种含有胺、溶剂和防腐剂的光刻胶去除剂组合物，所述防腐剂为选自包括三唑化合物、巯基化合物、含有羟基的有机酚化合物及其混合物的组的至少一种化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物能够容易快速地去除光刻胶膜，并且能够使图形化的金属电路的腐蚀降低至最小。

公开(公告)号：CN1713077A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077285.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  金圣培 ,  尹锡壹 ,  张锡唱

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种组合物，该组合物用于去除电路或显示设备的金属布线构图所用的抗蚀剂。本发明组合物含有一种碳酸亚烃酯、并可任选地含有一种叔胺或一种氧化剂。本发明组合物可以高效去除残留在已构图的金属膜上的抗蚀剂，在高温下由蒸发引起的组成变化和化学疲劳小，并且能将已构图的金属膜的腐蚀降到最低。

公开(公告)号：CN103019050A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN101256366B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN103019050B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN1752852B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200510105132.1

申请日：2005-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。

公开(公告)号：CN101750916A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253786.7

申请日：2009-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  崔永柱 ,  李炳珍 ,  徐南锡 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/82

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：CN101256366A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。