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公开(公告)号：CN102163456A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039569.5
申请日：2011-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3418 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明是一种非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统。提供一种操作非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括衬底和存储块，所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元。所述方法包括：从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据；以及响应于对被选子块的读取，选择性地刷新被选存储块的每个子块，其中，所述被选存储块的每个子块被单独擦除。
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公开(公告)号：CN102148059A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034906.1
申请日：2011-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其操作方法以及包括该非易失性存储器件的存储系统。在所述操作方法中，可以被浮置连接到位线的第一串的地选择线。可以向连接到所述位线的第二串的地选择线施加擦除禁止电压。可以向所述第一串和第二串施加擦除操作电压。
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公开(公告)号：CN109509490B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
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公开(公告)号：CN107025945A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710022359.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/26 , G06F3/061 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0409 , H05K999/99 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN106169304A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610603127.1
申请日：2011-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线。
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公开(公告)号：CN103151069A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210520121.X
申请日：2012-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN1067773A
公开(公告)日：1993-01-06
申请号：CN91110773.8
申请日：1991-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/146 , G01R31/316 , G05F3/205
Abstract: 用于半导体器件中的一个反偏电平传感器，其中用以感测反偏电压(VBB)的感测电流(I50)被防止直接流入衬底(或反偏电压端子)。一个PMOS晶体管(50)的栅极被提供以该反偏电压，而其源极被提供以地电压，在反偏电压(VBB)低于预定电压电平时，一个泵电路(300)执行泵激操作从而增大反偏电压。反之，解除对泵电路(300)的激励，从而减小反偏电压。
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