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公开(公告)号：CN117430743A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310286918.6
申请日：2023-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F220/18 , C08F8/34 , C08F8/00 , C08F220/38 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 提供聚合物、包括其的光致抗蚀剂组合物、和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的重复单元，其中式A111‑和中的B11R+11的细节提供、L11、a11、在本说明书中。式1
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公开(公告)号：CN1855495B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610073547.X
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L27/105 , H01L27/02 , H01L21/8232 , H01L21/8239 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L27/11534 , H01L27/1203 , H01L29/42336 , H01L29/66621 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/7881
Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。
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公开(公告)号：CN101751992A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252333.2
申请日：2009-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/108 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L27/10897 , H01L28/40 , H01L29/685
Abstract: 本发明提供一种开关及其形成方法。一种存储器装置，其包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时，第一电极移动从而连接至储存节点。
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公开(公告)号：CN101477986A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810136694.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。
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