公开(公告)号：CN116741776A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310175340.7

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L23/50

Abstract: 提供了其中具有异构器件的集成电路及其设计方法。一种集成电路包括：(i)第一晶体管，所述第一晶体管具有在第一方向上延伸的第一栅极、第一漏极和在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一漏极分开的第一源极；(ii)第二晶体管，所述第二晶体管具有在所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上延伸的第二栅极、第二漏极和在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述第二漏极分开的第二源极；以及(iii)第一连接结构，所述第一连接结构将所述第一晶体管与所述第二晶体管电连接，并且包括在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间沿所述第一方向延伸的图案。

公开(公告)号：CN109616470B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910079668.2

申请日：2015-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  吴祥奎 ,  都桢湖 ,  朴善暎 ,  李昇映 ,  元孝植

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L27/118 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。

公开(公告)号：CN115954340A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310100341.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  宋泰中 ,  李昇映 ,  郑钟勋

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。

公开(公告)号：CN115000006A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210612937.9

申请日：2016-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  李昇映 ,  郑钟勋 ,  林辰永 ,  梁箕容 ,  白尚训 ,  宋泰中

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。

公开(公告)号：CN108231760B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201711337186.X

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  白尚训 ,  宋泰中 ,  郑钟勋 ,  李升映

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开涉及具有垂直晶体管的集成电路。一种具有垂直晶体管的集成电路包括在第一方向上延伸并彼此平行地顺序排列的第一栅线至第四栅线、在第一栅线至第三栅线之上并与第二栅线绝缘的第一顶有源区、以及第二顶有源区。第一顶有源区分别与第一栅线和第三栅线形成第一晶体管和第三晶体管。第二顶有源区在第二栅线至第四栅线之上并与第三栅线绝缘。第二顶有源区分别与第二栅线和第四栅线形成第二晶体管和第四晶体管。

公开(公告)号：CN114373751A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111199156.3

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  白尚训

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括第一虚设区域和与第一虚设区域间隔开的第二虚设区域；器件隔离层，其填充第一虚设区域与第二虚设区域之间的沟槽；第一虚设电极，其设置在第一虚设区域上；第二虚设电极，其设置在第二虚设区域上；电力线，其从第一虚设区域延伸到第二虚设区域，电力线包括设置在器件隔离层上的扩展部分，扩展部分的宽度大于电力线的剩余部分的线宽；电力输送网络，其设置在衬底的底表面上；以及通孔，其延伸穿过衬底和器件隔离层，并且将电力输送网络电连接到扩展部分。通孔和扩展部分竖直重叠。

公开(公告)号：CN113192951A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110478287.9

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  白尚训 ,  赵成伟 ,  都桢湖 ,  梁箕容 ,  林辰永

IPC: H01L27/02 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398

Abstract: 提供集成电路和集成电路组。该集成电路包括：基底；第一和第二有源区；第一和第二电源线；多个栅极图案，平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开；第一接触件，在有源区内和栅极图案上；连接下金属线和上金属线的过孔；多个鳍，沿第二方向延伸并形成在有源区上；源区/漏区，在有源区中和栅极图案两侧处；第二接触件，连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平行延伸。第一接触件在第一层中，下金属线在第二层中，上金属线在第三层中。第一接触件将栅极图案电连接至下金属线。第一接触件包括接触栅极图案的第一部和接触下金属线的第二部。第一和第二有源区包括PMOSFET和NMOSFET区。

公开(公告)号：CN112652662A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011078081.9

申请日：2020-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  全辉璨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件和半导体单元结构，该VFET器件包括：鳍结构，从衬底突出并在平面图中具有H形；栅极，包括形成在鳍结构的侧壁上的鳍侧壁部分以及从鳍侧壁部分延伸并填充鳍结构的下半部内部的空间的场栅极部分；栅极接触，在鳍结构的下半部内部的位置落着在场栅极部分上；底部外延层，包括底部源极/漏极(S/D)区域并形成在鳍结构下面；电源接触，落着在底部外延层上并配置为接收电源信号；形成在鳍结构之上的顶部S/D区域；以及落着在顶部S/D区域上的顶部S/D接触。

公开(公告)号：CN105448910B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201510595156.3

申请日：2015-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金秀泰 ,  金东铉 ,  金夏永 ,  都桢湖 ,  朴善暎 ,  白尚训 ,  崔在完

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L23/52

Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。

公开(公告)号：CN106057774B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201610207159.X

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇映 ,  白尚训 ,  都桢湖

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基板；栅电极，位于基板上；绝缘层，位于栅电极上；第一下通孔和第二下通孔，位于绝缘层中；第一下金属线和第二下金属线，设置在绝缘层上并且分别连接到第一下通孔和第二下通孔；第一上金属线和第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上并且分别连接到第一下金属线和第二下金属线。当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。