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公开(公告)号：CN116168740A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211471280.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的磁道。磁道包括下磁性层、在下磁性层上的上磁性层、在下磁性层上并且在上磁性层的一侧的非磁性图案、以及在下磁性层和上磁性层之间并且在下磁性层和非磁性图案之间延伸的间隔物层。下磁性层和上磁性层通过间隔物层彼此反铁磁耦合。非磁性图案具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面。非磁性图案和上磁性层之间的接合表面相对于与第一表面和第二表面垂直的参考表面倾斜。
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公开(公告)号：CN112599661A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN110896128A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910603076.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。
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公开(公告)号：CN102044255B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN102044255A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101763889A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112599661B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN116669428A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310169758.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 斯图尔特·帕普沃思·帕金 , 田在春 , 安德烈亚·米廖里尼 , 皮雄焕
Abstract: 提供磁存储器装置和控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处并且被配置为向磁轨施加电压。磁轨包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的电流密度与第二区域中的电流密度之间的差异。
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公开(公告)号：CN116171051A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211474372.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Abstract: 本公开提供了磁存储器件。一种磁存储器件可以包括在第一方向上延伸的磁轨。磁轨可以包括在第一方向上延伸的下磁性层、在下磁性层上在第一方向上延伸的上磁性层、在下磁性层和上磁性之间在第一方向上延伸的间隔物层以及穿透上磁性层并在间隔物层上的非磁性图案。非磁性图案具有与上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与上磁性层的第二部分接触的第二结表面。下磁性层和上磁性层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合。
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