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公开(公告)号：CN103855166A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310646374.6
申请日：2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L21/764 , H01L29/42324
Abstract: 本发明提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件可以包括：半导体基板，具有第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽限定第一区域中的有源区域，该第二沟槽提供在第一区域周围的第二区域中；栅极电极，提供在第一区域中以跨过有源区域；电荷存储图案，设置在栅极电极和有源区域之间；阻挡绝缘层，提供在栅极电极和电荷存储图案之间并在第一沟槽之上延伸以在第一沟槽中限定第一空气间隙；以及绝缘图案，提供为与第二沟槽的底表面间隔开以在第二沟槽中限定第二空气间隙。
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公开(公告)号：CN115643759A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210842795.5
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。
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公开(公告)号：CN106057655B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201610218069.0
申请日：2016-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其具有这样一种排列结构，其中可形成具有相对小的宽度和相对紧密的间距的高密度线图案。半导体器件包括彼此间隔开的多个线图案。所述多个线图案包括：多根主线，它们之间具有第一间隙并且在第一方向上延伸；以及多根子线，它们从所述多根主线中的每一根的一端弯曲。所述多根子线之间具有大于第一间隙的距离，并且可与在第一方向上从对应于所述多根子线的所述多根主线中的每一根的一端延伸的延伸线间隔开。
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公开(公告)号：CN102789324B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201210012126.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0354 , G06F3/041
CPC classification number: G06F3/03545 , G06F3/044 , G06F3/0488 , G06F3/04883
Abstract: 本发明提供了用于支持数字化系统中的数字手写输入笔的擦除功能的设备和方法。该方法包括，如果识别数字手写输入笔的擦除部在接收装置上进行接触，则确定擦除部在接收装置的表面上进行接触的压力，并根据所确定的压力，改变发送至接收装置的频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102299137B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110176544.X
申请日：2011-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/28273 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/76229 , H01L27/11521 , H01L27/11536 , H01L29/66825
Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。
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公开(公告)号：CN102681868A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110456338.4
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/2284 , G06F9/4401 , G06F11/2289
Abstract: 一种对包括在引导操作期间被选择性地测试的易失性存储器器件的信息处理系统进行引导的方法，该方法包含：从信息处理系统读取当前系统配置信息的步骤；把当前系统配置信息与非易失存储器器件中相应的预先存储的系统配置信息进行比较的步骤；以及根据比较结果选择性地执行对易失性存储器器件的测试的步骤。一种信息处理系统包含：电路板；安装在电路板上的处理器；安装在电路板上并耦合到处理器的易失性存储器器件；以及被配置成存储电路板、处理器和易失性存储器器件的序列号的非易失性存储器器件，其中，处理器被配置成用于监视测试易失性存储器器件的触发条件，并被配置成选择性地执行用于检查易失性存储器器件中的存储器单元的测试和用于优化连接在易失性存储器器件和处理器之间的信道的信号完整性的训练。
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公开(公告)号：CN102299137A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110176544.X
申请日：2011-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/28273 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/76229 , H01L27/11521 , H01L27/11536 , H01L29/66825
Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。
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公开(公告)号：CN1971337A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610151652.0
申请日：2006-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B26/123
Abstract: 本发明公开了一种多光束扫描单元，包括：光源，具有多个发光部分，每个发光部分都发射激光束；光束偏转器，用于使从所述发光部分发出的激光束的每个在光敏介质的主扫描方向上偏转。所述发光部分沿着所述光源的出光表面上的直线布置，并且所述光源的出光表面上的与次扫描方向对应的线段与连接所述发光部分的线段之间的角度A满足不等式0°＜A≤35°或55°≤A≤80°，所述次扫描方向是指所述光敏介质的运动方向。
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公开(公告)号：CN213878092U
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202023017828.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L23/544
Abstract: 一种半导体器件包括第一布线组，该第一布线组在衬底上包括多个第一水平布线。所述多个第一水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第一水平布线中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸。提供第二布线组，其在衬底上包括多个第二水平布线。所述多个第二水平布线彼此平行地在第一方向上排列。所述多个第二水平布线中的每个在第二方向上延伸。提供线识别部，其在第一布线组与第二布线组之间。线识别部被限定在重叠区域中，该重叠区域在所述多个第一水平布线之中最靠近该线识别部的一个第一水平布线与所述多个第二水平布线之中最靠近该线识别部的一个第二水平布线之间。
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