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公开(公告)号：CN103151285B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201210524045.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/04 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6715
Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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公开(公告)号：CN102034829B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010299123.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
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公开(公告)号：CN103295879A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310020701.7
申请日：2013-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02074 , H01L21/76861
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。
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公开(公告)号：CN102034829A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010299123.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
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公开(公告)号：CN119644683A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410801595.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 一种衬底处理装置包括：反应器，具有在其中形成的处理空间；流体供应单元，将超临界流体供应到反应器的处理空间中；以及控制器，控制反应器和流体供应单元。控制器响应于供应到反应器的超临界流体的状态是否满足设定条件来控制反应器和流体供应单元执行以下之一：通过使用超临界流体清洁处理空间、以及通过使用超临界流体干燥放置在处理空间中的衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118073226A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310856813.X
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 一种衬底处理装置，包括干燥室壳体和在干燥室壳体中的干燥卡盘。干燥室壳体包括下腔室和附接到下腔室的上腔室。干燥卡盘包括第一支撑元件、第二支撑元件和第三支撑元件，每个支撑元件连接到上腔室，并且在第一方向上与下腔室间隔开。第一支撑元件包括固定到上腔室的第一杆、沿第一方向从第一杆向外延伸的第一块、以及在第一块上的第一销钉。第二支撑元件包括固定到上腔室的第二杆、沿第二方向从第二杆向外延伸的第二块、以及在第二块上的第二销钉。第一杆和第二杆之间的距离可以等于或大于301mm。
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公开(公告)号：CN109148327B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810623331.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。
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公开(公告)号：CN116027643A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211167154.0
申请日：2022-09-23
IPC: G03F7/40
Abstract: 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。
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公开(公告)号：CN107170700B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710514602.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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