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公开(公告)号：CN102157540B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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公开(公告)号：CN105453174A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044082.8
申请日：2014-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G10L21/0208
CPC classification number: G10L25/78 , G10L15/25 , G10L21/0208 , G10L21/0216 , G10L2021/02166 , H04R1/326
Abstract: 一种话音增强方法，包括：通过使用输入信号来估计说话者的方向，生成指示所估计的方向的方向信息；基于估计方向的结果来检测说话者的话音，以及基于检测话音的结果，通过使用方向的估计的方向信息来增强说话者的话音。
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公开(公告)号：CN102956263A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298165.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
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公开(公告)号：CN101365196A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810131369.0
申请日：2008-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/72522 , G06F17/3012 , H04M1/72555 , H04M2250/52 , H04N1/00307 , H04N1/2104 , H04N2201/0087 , H04N2201/3229 , H04N2201/328
Abstract: 提供一种在移动终端中存储数据的方法和设备，这种方法和设备是在移动终端中将图像存储在与文件名相应的存储文件夹中的方法和设备。该方法包括：通过分析将被存储的数据的文件名来检测关键字；将该数据存储在与所述关键字相应的存储文件夹中。
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公开(公告)号：CN112530944A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010643649.0
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105452822A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044845.9
申请日：2014-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01H17/00
CPC classification number: H04R29/008 , G08B1/08 , G08B13/1672 , G08B21/0208 , G10L25/18 , G10L25/72 , G10L25/78 , H04R29/004
Abstract: 提供了一种用于操作声事件检测装置的方法，该方法包含：接收声输入；提取声输入的频率特性；通过分析提取的频率特性，确定是否发生了第一声事件；以及作为对确定发生了第一声事件的响应，从声事件检测装置的外部的环境获取关于声音、图像和视频中的至少一个的数据，并且将该数据发送到第一设备。
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公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN102157540A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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