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公开(公告)号：CN115910991A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210361368.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。
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公开(公告)号：CN115810591A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210501876.9
申请日：2022-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。
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公开(公告)号：CN110872698A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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公开(公告)号：CN117715436A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311184841.8
申请日：2023-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B51/30
Abstract: 一种半导体器件包括衬底。多个水平结构堆叠在衬底上并且彼此间隔开。多个垂直结构穿透多个水平结构。多个垂直结构中的每一个垂直结构包括垂直源极线、垂直位线、沟道层和电介质层。沟道层与垂直源极线和垂直位线直接接触。电介质层位于多个水平结构与沟道层之间。多个水平结构中的每一个水平结构包括：第一导电层、围绕第一导电层的至少一部分的铁电层、以及位于铁电层与电介质层之间的第二导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117279388A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310380563.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种3D半导体存储器件包括：第一贯通结构，所述第一贯通结构位于衬底上，并且包括在第一方向上彼此间隔开的第一导电柱和第二导电柱；电极，所述电极与所述第一贯通结构相邻，并且在所述第一方向上水平地延伸；以及铁电层和沟道层，所述铁电层和所述沟道层位于所述电极与所述第一导电柱和所述第二导电柱之间。所述沟道层将所述第一导电柱和所述第二导电柱彼此连接。所述铁电层设置在所述电极与所述沟道层之间。当在俯视图中观察时，所述铁电层沿着所述沟道层从所述第一导电柱的侧壁延伸到所述第二导电柱的侧壁。
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公开(公告)号：CN117062445A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310523975.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：第一下导电线，在第一方向上延伸并设置在第一高度水平处；第一上导电线，在第一方向上延伸并与第一下导电线垂直地重叠，在高于第一高度水平的第二高度水平处；单晶半导体图案，在第三高度水平处设置在第一下导电线和第一上导电线之间；中间导电线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸并在单晶半导体图案之间穿过，在第一高度水平和第二高度水平之间；以及数据存储层，包括在中间导电线和单晶半导体图案之间的部分。
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公开(公告)号：CN116403990A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310002578.X
申请日：2023-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括在半导体衬底上的电连接在一起成为电容器的顶部电极的环形电极的垂直堆叠。还提供电容器的底部电极，其在与衬底的表面正交的方向上垂直地延伸并延伸穿过环形电极的垂直堆叠的中心。提供电绝缘的底部支撑图案，其在环形电极中的最下面的环形电极和环形电极中的中间的环形电极之间延伸。
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公开(公告)号：CN116075149A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211356181.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
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公开(公告)号：CN110872698B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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