公开(公告)号：CN109976097A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811612414.4

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  白宗玟 ,  徐训硕 ,  李义福 ,  姜成进 ,  V.阮 ,  郑德泳 ,  安商熏 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004

Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN109904140A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN108573949A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。