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公开(公告)号：CN112711975A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010428036.5
申请日：2020-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种产生指纹图像的方法，包括：基于连接到指纹传感器的多个检测电路中的每个检测电路的放大器特性，确定要从所述多个检测电路中的每个检测电路去除的电荷量；以及通过从输入到所述多个检测电路中的每个检测电路的第一电量中去除所述电荷量来获得第二电量；对所述第二电量进行积分以获得积分值；以及基于所述第二电量的所述积分值与预定阈值之间的比较来产生所述指纹图像。
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公开(公告)号：CN103356219B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210551889.3
申请日：2012-12-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 西江大学校产学协力团
IPC: A61B6/03
CPC classification number: G01J1/44 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208
Abstract: 本发明提供了一种用于断层扫描的光电倍增器检测器元件，该光电倍增器检测器元件包括：检测器单元，接收具有一定范围的波长的光以生成数字化的检测信号；读出单元，被配置为生成与由检测器单元生成的检测信号相对应的输出信号，并且将该输出信号发送到外部电路，其中，在接收到检测信号之后，读出单元马上将输出信号发送到外部电路。
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公开(公告)号：CN102130177B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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公开(公告)号：CN101582453B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200910140975.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714870B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN102544032A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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公开(公告)号：CN101714404A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204905.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40 , H01L27/24 , H01L29/786 , G11C11/4195
CPC classification number: G11C13/00 , G11C5/02 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。
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公开(公告)号：CN101527318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN111488790A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010056748.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种触摸传感器，包括：在第一方向上延伸的多个平行发送线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个平行接收线；以及发送驱动器，被配置为在第一模式下将第一电压的第一驱动信号施加到多个发送线，并且在第二模式下将第二电压的第二驱动信号施加到多个发送线，第二电压与第一电压不同。触摸传感器还包括信号输出单元，被配置为从多个接收线接收触摸信号。
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