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公开(公告)号：CN102270501A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110145953.3
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3436
Abstract: 一种用于非易失性存储器件的编程方法，包括：执行LSB编程操作编程全部LSB逻辑页面，之后执行MSB编程操作编程全部MSB逻辑页面，其中，在LSB编程操作期间，将选择的MLC编程为负中间编程状态。用于LSB和MSB编程操作的编程序列相对于字线的排列次序可以是顺序的或非顺序的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847443A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010150541.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/3436
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
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公开(公告)号：CN101447230A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810188771.2
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2216/14 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
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公开(公告)号：CN101404182A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810176914.8
申请日：2008-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 具有电荷存储层的非易失性存储设备的编程或擦除方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每个单元编程或擦除循环包括将作为正电压或负电压的编程脉冲、擦除脉冲、时间延迟、软擦除脉冲、软编程脉冲和/或校验脉冲施加于非易失性存储设备的一部分(例如，字线或基片)。
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