公开(公告)号：CN107452423B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201710248135.3

申请日：2017-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林璇渶 ,  吴起硕 ,  徐圣镕 ,  赵永进 ,  崔仁寿

IPC: G11C16/32 ,  G11C16/06 ,  G06F3/06

Abstract: 公开了一种操作存储设备的方法，该方法包括：将对用于内部操作的内部操作时间的请求发送到外部设备，从外部设备接收与请求相对应的内部操作命令，以及基于内部操作命令在内部操作时间期间执行内部操作。

公开(公告)号：CN110534140A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN110310681A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910202222.4

申请日：2019-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大植 ,  河庆洙 ,  孙宁洙 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  张晋熏 ,  崔娟圭 ,  玄锡勋

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。

公开(公告)号：CN109840223A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811293828.5

申请日：2018-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光贤 ,  吴起硕

IPC: G06F13/16

Abstract: 本申请提供了一种电子装置、存储器装置和电子装置的操作方法。电子装置包括存储器和片上系统(SoC)。存储器装置包括分配给第一通道的第一存储器单元区域和分配给第二通道的第二存储器单元区域。SoC包括第一处理单元和第二处理单元。第一处理单元被构造为通过第一通道将用于访问第一存储器单元区域的第一命令发送至存储器装置。第二处理单元被构造为通过第二通道将用于访问第二存储器单元区域的第二命令发送至存储器装置。存储器装置被构造为使得第一通道的带宽和第二通道的带宽彼此不同。

公开(公告)号：CN108008805A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711045809.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔娟圭 ,  吴起硕 ,  申丞濬 ,  金惠兰

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G06F3/0634 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4074 ,  G11C2211/4067 ,  G06F1/3234

Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。

公开(公告)号：CN107545915A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710501634.9

申请日：2017-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴起硕 ,  全成桓

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C8/16 ,  G11C29/42

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G06F11/1004 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1093 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4096 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0411

Abstract: 提供一种操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器装置。在操作包括存储器单元阵列和被配置为控制对存储器单元阵列的访问的控制逻辑电路的半导体存储器装置的方法中，从外部存储器控制器接收与差分数据时钟信号同步的数据，基于从差分数据时钟信号分频出的分频数据时钟信号将所述数据存储在存储器单元阵列中，响应于来自存储器控制器的读取命令和目标地址从存储器单元阵列读取数据，根据半导体存储器装置的选通模式使用单选通信号和差分选通信号之一将读取数据发送到存储器控制器。