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公开(公告)号：CN1873983A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610075737.5
申请日：2006-04-26
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 岩渕昭夫
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件，在形成有具有IGBT及NMOS的半导体集成电路器件的基片(50)上，形成二极管(44)，在NMOS的源电极(66)与背栅电极(70)及IGBT的发射极电极(57)之间，正向连接二极管(44)。通过设置二极管(44)，输入IGBT导通后从漂移区(54)经由P－阱(60)流入NMOS的源区(61)的电流，流过二极管(44)。由于二极管(44)的导通电阻较高，因而可以将寄生晶体管(75)的基极电流抑制得较低，从而大幅抑制流入由寄生晶体管(75)和寄生晶体管(76)所构成的晶闸管的电流。由此，可以缩小具有IGBT及NMOS的半导体集成电路器件的形成面积，并且防止误动作。
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公开(公告)号：CN103001458B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210337982.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/36 , H02M3/33523 , H02M2001/0006
Abstract: 本发明提供驱动电路，其能够在不使用变压器的辅助绕组的情况下确保控制电路的电源而降低成本。该驱动电路对常通型的高侧开关（Q1）和常断型的低侧开关（Q2）进行导通/断开驱动，高侧开关和低侧开关的串联电路与直流电源并联连接，驱动电路具有：控制电路（10），其通过控制信号使高侧开关和低侧开关导通/断开；整流单元（D2），其一端连接在高侧开关和低侧开关的连接点；电容器（C2），其与整流单元的另一端以及直流电源的一端连接，并向控制电路提供电源；驱动部（A1、AND1、Q3、Q4），其根据来自控制电路的控制信号和来自电容器的电压，对高侧开关和低侧开关进行导通/断开驱动。
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公开(公告)号：CN104427723A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410413459.4
申请日：2014-08-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供LED驱动电路，其是使用了常通型的宽禁带半导体元件作为开关元件的他激方式的LED驱动电路。LED驱动电路(10a)通过直流输出以恒流点亮LED阵列(LD)，所述直流输出是利用常通型的开关元件(Q1)的接通断开动作而生成的，LED驱动电路(10a)具有：脉冲产生电路(T2)，其输出以开关元件(Q1)的源极端子(输出端子)的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)，其将从脉冲产生电路(T2)输出的脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件(Q1)的栅极端子(控制端子)。
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公开(公告)号：CN104427719A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410409540.5
申请日：2014-08-19
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供LED驱动电路，其为使用宽禁带半导体作为开关元件并进行了高频化的降压斩波电路，在该降压斩波电路中，即使存在输入电压变动也能够维持恒流特性。作为解决手段，提供通过直流输出以恒流点亮LED的LED驱动电路(10a)，所述直流输出是利用基于常通型的第1开关元件(Q1)的接通断开动作的电抗器(L)的充放电而生成的，LED驱动电路(10a)具有对流过电抗器(L)的电抗器电流的平均值进行检测的平均值检测电路(跨导放大器OTA、和与跨导放大器OTA的输出端子连接的电容器Ccomp)，并根据由平均值检测电路检测到的电抗器电流的平均值控制使第1开关元件(Q1)断开的时机。
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公开(公告)号：CN102637734A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028773.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 联华电子股份有限公司 , 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100472786C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610075737.5
申请日：2006-04-26
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 岩渕昭夫
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件，在形成有具有IGBT及NMOS的半导体集成电路器件的基片(50)上，形成二极管(44)，在NMOS的源电极(66)与背栅电极(70)及IGBT的发射极电极(57)之间，正向连接二极管(44)。通过设置二极管(44)，输入IGBT导通后从漂移区(54)经由P-阱(60)流入NMOS的源区(61)的电流，流过二极管(44)。由于二极管(44)的导通电阻较高，因而可以将寄生晶体管(75)的基极电流抑制得较低，从而大幅抑制流入由寄生晶体管(75)和寄生晶体管(76)所构成的晶闸管的电流。由此，可以缩小具有IGBT及NMOS的半导体集成电路器件的形成面积，并且防止误动作。
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公开(公告)号：CN101027830A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580031475.6
申请日：2005-08-10
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M1/32 , H02M3/335 , H02M2001/0006
Abstract: 一种开关电源装置，具备：启动单元(Q1)，其在接通交流电源(Vac)时将用于开始开关元件(Q7)的开关动作的启动电源提供给控制部(40a)，在开始开关动作后停止向控制部提供启动电源；过热检测单元(45)，其与该启动单元热耦合，且检测由于启动单元的过热而导致的异常；锁存单元(41)，其在启动单元的过热异常以外的异常时，保持开关元件的开关动作的停止状态；启动控制单元(48～50)，其当锁存单元保持开关动作的停止状态时，使平滑电容器(C1)的电荷放电，快速复位关断交流电源时的锁存单元，根据来自过热检测单元的检测信号，使启动单元停止。
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公开(公告)号：CN1674279A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510054424.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 岩渕昭夫
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 层叠半导体元件以使半导体器件小型化，同时降低因细引线而引起的电阻及功率损失，以便利用大电流来操作半导体器件。该半导体器件包括：第一支持板(11)、在第一支持板(11)上粘贴的第一半导体元件(1)、在第一半导体元件(1)上粘贴的第二支持板(12)、和在第二支持板(12)上粘贴的第二半导体器件(2)。第一支持板(11)和第二支持板(12)分别具有由导电性材料形成并且与第一半导体元件(1)和第二半导体器件(2)电连接的引线端子(21a、21b、21c、22a、22b)。由于第二支持板(12)具有作为第二半导体器件(2)的散热板的良好功能、同时还具有作为半导体元件的电极端子的功能，所以就能使布线简单化。
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公开(公告)号：CN1381900A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN01134756.2
申请日：2001-11-09
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/735 , H01L27/06
CPC classification number: H01L29/6625 , H01L29/1008 , H01L29/36 , H01L29/735
Abstract: 横向pnp晶体管包括一个p型的半导体衬底,位于半导体衬底上的n型第一掩埋层,位于第一掩埋层的n型均匀基区,位于均匀基区内的n型第一隔离层,位于均匀基区内部和上表面上的p型第一发射区和第一集电区,位于均匀基区内的分级基区以及位于第一隔离层内的第一基极接触层。分级基区包围了第一主电极区的底部和侧面。介于第一发射区和第一集电区之间的分级基区的掺杂分布是杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区逐渐减小。
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公开(公告)号：CN204046866U
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201420367050.9
申请日：2014-07-03
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02 , F21V23/02 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型提供半导体模块、LED驱动装置以及LED照明装置。该半导体模块具有：由导电性材料构成的单个支承薄板、包含横型栅控制型元件的第1半导体芯片、包含纵型整流元件的第2半导体芯片，所述横型栅控制型元件具有形成在所述第1半导体芯片的一个主面上的第1主端子、第2主端子、控制端子，所述纵型整流元件具有形成在所述第2半导体芯片的一个主面上的阳极和形成在所述第2半导体芯片的另一个主面上的阴极，所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片固定在所述单个支承薄板上，所述第1主端子与所述单个支承薄板低电阻连接，所述阴极直接与所述单个支承薄板低电阻连接。根据本实用新型，能够有助于LED驱动装置等开关电路的小型化。
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