公开(公告)号：CN104716129B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310694401.7

申请日：2013-12-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  薛彦迅 ,  鲁军 ,  张晓天 ,  牛志强 ,  鲁明朕 ,  赵良 ,  龚玉平 ,  连国峰

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及包含双MOSFET的堆叠式封装结构及其制备方法。在一芯片安装单元正面和背面分别安装有一个第一芯片和一个第二芯片，并在第一芯片上方安装有一个金属片连接到芯片安装单元的一个第二基座上。第二芯片正面的各电极上设置的金属凸块的顶端面与芯片安装单元中第一和第三基座各自引脚的底面、第二基座的底面位于同一平面。

公开(公告)号：CN105374773A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410421700.8

申请日：2014-08-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  鲁军 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  高洪涛

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明主要涉及功率半导体器件领域，尤其涉及在实现芯片级封装方式前提下，提出了一种MCSP封装形式的功率半导体器件及相应的制备方法。在晶圆背面设置一个导电粘合层；层压一个金属箔层至晶圆背面并利用所述导电粘合层进行压合黏接；粘贴一个复合胶带至所述金属箔层上；切割相邻芯片之间的叠层，所述叠层包括塑封层、晶圆、导电粘合层、金属箔层和复合胶带。

公开(公告)号：CN103208430A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210026966.3

申请日：2012-01-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 鲁军 ,  牛志强 ,  何约瑟 ,  黄平 ,  龚玉平 ,  薛彦迅 ,  张晓天 ,  鲁明联

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种利用热压焊球技术以在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法。本发明首先在晶圆上进行植球，将焊球植于设置在芯片正面的金属衬垫上，并对晶圆进行加热，将焊球软化；之后利用一个热压板同时于所有焊球的顶端进行施压，在焊球的顶端形成一个平面化的顶面；再进行晶圆级的塑封工艺，形成覆盖在晶圆的正面的一层塑封层，其中，任意一个焊球的的顶面均暴露于该塑封层之外；最后再减薄晶圆的厚度以获得超薄芯片。