公开(公告)号：CN1435886A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02143169.8

申请日：2002-09-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 古谷启一 ,  山本文寿 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明的课题是抑制因具有电感L的分量的负载的反电动势而引起的器件的误工作。半导体装置包括：在P型硅衬底上形成的外延层；将外延层分为元件形成区的N－外延层4和无效区的N－外延层2的P+扩散层3；以及将无效区的N－外延层2与P+扩散层3进行电连接的铝布线6。由于可将无效区的N－外延层2与P+扩散层3形成为相同的电位，故即使在电感L的负载的反电动势的作用下将电子注入到元件形成区时，也可抑制从P+扩散层3向无效区供给电子。

公开(公告)号：CN1195763A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97123190.7

申请日：1997-11-24

Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 松本晓典 ,  黑田健 ,  伴功二 ,  小西瞳子 ,  横井直树

IPC: F26B11/00

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 本发明的目的是使IPA蒸汽的状态稳定,缓解甚至消除干燥不良现象。在设于处理槽(11)上方的开口部(22)两侧相对设置喷嘴(13)以及排气件(14)。处理槽(11)的侧壁随着从下方附近接近开口部(22)而向内侧圆滑弯曲。喷嘴(13)将氮气供给装置提供的氮气喷向排气件(14)的排气口,并形成覆盖开口部(22)的喷流(21)。由于处理槽(11)的侧壁弯曲,喷流(21)可有效发挥屏障的功能。所以,不再需要传统装置上必需的冷却蛇形管。因此,消除了因冷却蛇形管而引起的IPA蒸汽(5)状态的不稳定性。

公开(公告)号：CN1160932A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN96121720.0

申请日：1996-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 富田至洋 ,  泽井章能 ,  浅井胜乘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于增强芯片和固定基片间连接装置的疲劳寿命的半导体器件，具有近似球形的隆起电极和焊接区电极的多个突出电极部分形成于芯片下表面。多个近似球形的连接端通过加热熔化直接连接于相对应的焊接区电极。多个连接面被做在引线板的上表面。引线板在平面结构上要比芯片的面积大，多个外电极部分被制作在引线板的下表面，每一个外电极部分包括连接面和基本上为球形的外电极。连接面通过加热熔化分别直接连接于相对应的连接端。