公开(公告)号：CN1435886A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02143169.8

申请日：2002-09-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 古谷启一 ,  山本文寿 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明的课题是抑制因具有电感L的分量的负载的反电动势而引起的器件的误工作。半导体装置包括：在P型硅衬底上形成的外延层；将外延层分为元件形成区的N－外延层4和无效区的N－外延层2的P+扩散层3；以及将无效区的N－外延层2与P+扩散层3进行电连接的铝布线6。由于可将无效区的N－外延层2与P+扩散层3形成为相同的电位，故即使在电感L的负载的反电动势的作用下将电子注入到元件形成区时，也可抑制从P+扩散层3向无效区供给电子。

公开(公告)号：CN1411075A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02132184.1

申请日：2002-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本文寿

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238

Abstract: 本发明旨在减少包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置中噪声的发生。耗尽型N沟道晶体管，具有以圆形形成的漏区7，并以将漏区包围的方式设置外周为圆形的栅区5。再以将漏区包围的方式在栅区的外侧设置源区71，源区跟元件分离用氧化膜3以预定的距离隔开。例如，在源区的外侧形成P+扩散层8，通过该P+扩散层仅以预定的距离将源区和元件分离用氧化膜隔开。并且，在P+扩散层形成和源区共用的接触孔10，栅区与漏区设置成同心圆。

公开(公告)号：CN111316406A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071922.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本文寿

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 不使截止耐压降低而制造碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：在第1导电类型的碳化硅半导体层(2、3、7)的表层部分地形成的第2导电类型的第2扩散层(9)、至少在第2扩散层的表层的一部分形成的第2导电类型的第3扩散层(19)以及在第3扩散层的表层部分地形成的第1导电类型的第4扩散层(11)，第3扩散层比第2扩散层更浅地形成，在剖面视时，第4扩散层形成于第3扩散层内，第3扩散层相对第2扩散层成为非对称。