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发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN1435886A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02143169.8

申请日：2002-09-16

Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 古谷启一 , 山本文寿 , 寺岛知秀

IPC: H01L27/04 , H01L21/76

CPC classification number: H01L21/761 , H01L27/0623

Abstract: 本发明的课题是抑制因具有电感L的分量的负载的反电动势而引起的器件的误工作。半导体装置包括：在P型硅衬底上形成的外延层；将外延层分为元件形成区的N－外延层4和无效区的N－外延层2的P+扩散层3；以及将无效区的N－外延层2与P+扩散层3进行电连接的铝布线6。由于可将无效区的N－外延层2与P+扩散层3形成为相同的电位，故即使在电感L的负载的反电动势的作用下将电子注入到元件形成区时，也可抑制从P+扩散层3向无效区供给电子。

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