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公开(公告)号：CN108352285B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680066016.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰弗里·A·柏吉斯
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 一种低轮廓获取电极组件及离子植入机，所述低轮廓获取电极组件包括：绝缘体，具有主体；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的第一面延伸；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸，从所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向相对于从所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述安装支脚；以及抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述安装支脚，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
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公开(公告)号：CN108604523B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/248 , H01J37/317
Abstract: 一种离子束装置中污染控制的装置、系统和方法。所述装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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公开(公告)号：CN107658201B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710893518.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
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公开(公告)号：CN107646158B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201680028383.0
申请日：2016-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 希马恩·Y·飞三
Abstract: 本发明揭示一种超导故障电流限制器系统及适用于超导带的连接系统。用于连接超导故障电流限制器(SCFCL)系统中的超导带的系统，使两个超导带能够安装在连接器堆栈中的单个开口中。这会将连接器堆栈的高度减小近50％，从而使超导故障电流限制器系统更有效且体积更小。在一个实施例中，每个连接器在顶部表面和底部表面两者上具有凹部，使得当堆叠在另一连接器上时凹部对准，从而形成较大开口。在另一实施例中，连接器具有可以容纳两个超导带的单个凹部。超导带可以安置于保护套中。
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公开(公告)号：CN110088873A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN106463613B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580024163.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。
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公开(公告)号：CN109923641A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068648.4
申请日：2017-09-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本文公开了一种处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。
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公开(公告)号：CN109845060A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780030210.7
申请日：2017-05-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚德里安·威尔森
IPC: H02H9/02
Abstract: 一种故障电流限制器可包括：电流限制支路，传输第一电流；以及控制支路，与所述电流限制支路并联，所述控制支路传输第二电流。所述控制支路可包括：多个电力电子模块，相互电串联地排列；以及旁通电力电子模块，与所述多个电力电子模块电串联地排列。所述控制支路可进一步包括：多个电流监测器，与所述多个电力电子模块及所述旁通电力电子模块电串联地排列；以及至少一个触发电路，其中所述多个电流监测器电耦合到所述至少一个触发电路，且其中所述至少一个触发电路耦合到以下中的至少一者：所述多个电力电子模块、及所述旁通电力电子模块。
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公开(公告)号：CN109791874A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058139.3
申请日：2017-09-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。
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公开(公告)号：CN105981134B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580008264.4
申请日：2015-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种具有改良温度均匀性的加热平台。各种实例提供平台部分，其具有与其热耦合的金属化层。电接触件可连接到金属化层并被配置成传导用于加热金属化层以及平台部分的电流。电接触件可包含电导体以及电阻加热元件，电阻加热元件被配置成当电流流过其时将加热，从而产生减少从平台部分吸收到电接触件中的热量的热块。本发明提供的加热平台具有改良温度均匀性。
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