公开(公告)号：CN109923641A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068648.4

申请日：2017-09-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛梅克·莎里曼 ,  高琦 ,  海伦·L·梅纳德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本文公开了一种处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。

公开(公告)号：CN109923641B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201780068648.4

申请日：2017-09-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛梅克·莎里曼 ,  高琦 ,  海伦·L·梅纳德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本文公开了一种在工件上沉积掺杂物质或在工件中植入掺杂物质的方法及处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。