公开(公告)号：CN106684074B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201710046740.2

申请日：2017-01-22

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 杨冬伟

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 一种新型压接型功率模块，主要包括圆形晶闸管芯片、绝缘陶瓷片、散热铜基板、功率端子、压块、信号引架、信号引线、塑料外壳、硅凝胶、钼片、密封胶，所述的塑料外壳与散热铜基板通过密封胶粘接在一起，所述的功率端子、钼片、圆形晶闸管芯片以及陶瓷片置于散热铜基板的上表面并用橡胶圈定位，所述的圆形晶闸管芯片上表面置有大功率端子并轻微固定并压紧，所述圆形晶闸管芯片的门极和E极的信号引线卡于信号引架相应位置，并水平置于大功率端子的表面，信号引线将圆形晶闸管芯片的门极和E极引出至信号支架和信号端子，将压块置于信号引架表面，用螺丝拧紧，所述的塑料外壳内的散热铜基板上面覆盖有绝缘硅凝胶。

公开(公告)号：CN115985881A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211732694.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 陈斌 ,  朱翔

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件，涉及功率器件封装技术领域，包括：基板，基板的表面设有多个功率芯片，基板的一端的表面设有金属电极；多个负温度系数栅极电阻，各负温度系数栅极电阻设于金属电极的表面；各负温度系数栅极电阻的第一电极对应连接各功率芯片的表面栅极，各负温度系数栅极电阻的第二电极连接功率输出端子。有益效果是通过使用负温度系数栅极电阻，其特性是低温阻值大、高温阻值小，可以改善功率器件的低温波形，降低功率器件的高温损耗；由于功率器件发热明显，负温度系数栅极电阻在使用时将获得更小的阻值，有利于降低高温开关损耗。

公开(公告)号：CN115831896A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211573887.4

申请日：2022-12-08

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 陈明晔 ,  马伟力

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明公开了一种信号端子及功率模块封装结构，包括：伸出部分、中间部分、缓冲部分及端子脚；所述伸出部分与所述中间部分之间设置有折弯槽，所述缓冲部分为S型板，所述S型板的一端与所述中间部分相连接，所述S型板的另一端与所述端子脚相连接。该信号端子设计有S型板作为缓冲部分，缓冲部分的设计使得该信号端子及功率模块封装结构具有缓冲功能，避免了信号端子与直接键合铜之间的端子脱落的问题。

公开(公告)号：CN115241282A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202211166305.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 ,  浙江大学 ,  嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  冉飞荣 ,  沈华 ,  刘志红

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的另一端面设置有漏极电极层，栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面，且每组栅氧结构上设置有第一隔离层，每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构，且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层，注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层，第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面，外延层上还设置有第二隔离层，栅极电极层设置在第二隔离层上，本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。

公开(公告)号：CN113517244A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110823796.0

申请日：2021-07-21

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 封丹婷 ,  房军军

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的新型封装结构，主要包括绝缘散热片、金属引线框架单元和芯片单元，所述绝缘散热片包括绝缘层及分别设置在该绝缘层两侧的内金属导电层和外金属导电层，所述金属引线框架单元主要包括框架引脚输入部、框架引脚输出部及框架引脚信号部，所述框架引脚输入部通过焊料焊接的方式设置在内金属导电层的上侧，所述芯片单元焊接在内金属导电层的中间位置上，所述框架引脚输出部上设置有与芯片单元位置对应的内凹部并通过该内凹部的外端面与芯片单元进行焊接固定，芯片单元的信号部分通过金属键合引线与所述框架引脚信号部进行连接；所述绝缘散热片、芯片单元及框架引脚输出部上的内凹部均由塑封体进行包覆。

公开(公告)号：CN111755503A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010662037.6

申请日：2020-07-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ,  沈华 ,  永福

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公布了一种可变横向掺杂的终端结构及其制作方法，主要包括终端结构本体，所述终端结构本体主要包括N型外延衬底及设置在N型外延衬底顶部外表面上的氧化层，所述N型外延衬底的其中一侧设置有深N阱区，N型外延衬底的另一侧通过P阱注入窗口设置有深P阱掺杂区，所述深P阱掺杂区的面积大于所述深N阱区的面积；所述深P阱掺杂区的上表面设置有第一金属层，所述深N阱区的上表面设置有与所述第一金属层高度对应的第二金属层，且所述第二金属层的宽度小于所述第一金属层的宽度，第二金属层的顶部设置有与所述氧化层的顶部接触然后向第一金属层一侧延伸并与所述第一金属层接触的钝化层；它具有工艺控制简单、可靠性高等特点。

公开(公告)号：CN111755502A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010662036.1

申请日：2020-07-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ,  永福

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法，主要包括RC-IGBT器件本体，该RC-IGBT器件本体集成IGBT与FRD于一体，所述RC-IGBT器件本体主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的N型电荷贮存层，N型电荷贮存层的顶部设置有P阱层，P阱层的上表面设置有若干组接触孔，所述接触孔包括相邻交错设置的IGBT接触孔和FRD接触孔，且相邻的IGBT接触孔和FRD接触孔之间设置有贯穿P阱层和N型电荷贮存层并延伸至N型衬底内部的沟槽，所述沟槽包括氧化层及设置在氧化层内的多晶硅，沟槽的底部横截面为半圆形；所述N型衬底的底部设置有由P型杂质和N型杂质交错布置形成的N型场终止层。

公开(公告)号：CN108565284A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810185958.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 刘志红

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种沟槽栅场截止逆导型IGBT，它是在N-Base高电阻率半导体材料表面形成P Base区，在P Base区表面沿器件横向方向分别并列交替形成N+发射区和P+体接触区；在N+发射区紧临区域形成贯穿P Base区、且底部与N-Base高电阻率半导体区相接触的沟槽区，沟槽区由位于槽内壁的绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料构成，由沟槽区中的导电材料引出栅电极，形成沟槽栅结构；N+发射区和P+体接触区的共同引出端为发射极电极；在N-Base高电阻率半导体区的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N+型区和P+型区形成集电区，N+型区和P+型区的共同引出端为集电极；集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型缓冲层。

公开(公告)号：CN103794571B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410034557.7

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 蒋静超

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种功率半导体用新型金属-陶瓷绝缘基板，它主要由陶瓷基板、第一金属覆和层和第二金属覆和层组成，其中材料的热膨胀系数关系是：第一金属覆和层＞第二金属覆和层＞陶瓷基板；所述的第一金属覆和层选用金属铜，第二金属覆和层选用Ni/Cu合金，通过高温烧结等使金属与陶瓷基板间形成共价键；所述的第一金属覆和层在蚀刻后的热膨胀系数＞第二金属覆和层，并使绝缘基板总体呈向第二金属覆和层一侧弯曲的状态；它可以克服普通绝缘基板在焊接半导体芯片后向上凸起而造成其整体再焊接到散热基体上焊接层不良的技术难点，从而更好的提高了此类产品的可靠性。

公开(公告)号：CN105679747A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610132060.8

申请日：2016-03-09

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 熊平 ,  姚礼军

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L25/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/492

Abstract: 一种带弹片双层灌胶的功率模块及制造方法，它包括：一覆铜陶瓷基板DBC，一通过回流焊焊接在覆铜陶瓷基板DBC上的芯片，所述的芯片通过覆铜陶瓷基板DBC上的键合铝线实现电气连接，所述的覆铜陶瓷基板DBC上通过预刷焊料和感应加热焊接有多个弹片，所述的弹片预装在一外壳中，在所述外壳内灌封有一层硅凝胶和一层环氧树脂；所述的制备方法包括：a）先将所需弹片全部预装进外壳；b）封壳后通过感应加热技术和预涂的焊料实现弹片和DBC的焊接；c）完成焊接后在功率模块中灌入一层硅凝胶，高度需覆盖DBC、芯片、键合线，等待硅凝胶固化；d）硅凝胶固化后，在功率模块中灌入一层环氧树脂，覆盖弹片的直线段；然后进行环氧树脂的固化。