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公开(公告)号：CN1138878C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN97101009.9
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状源材料加进外坩埚里的半导体熔化物内的源材料供应管，注入进源材料供应管的源材料和惰性气体一起流向密封的容器，其特征为：在惰性气体的流速N(l/min.cm2)在0.0048P+0.0264＜N＜0.07P内的条件下注入源材料，这里P(Torr)是气密容器里的内压力。
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公开(公告)号：CN1134559C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN97101019.6
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，具有一个阶段(0＜t＜t1)，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，还有另一个阶段(t2＜t＜t3)，其中源材料停止加入，而用第一阶段的剩余熔化物拉制半导体单晶。
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公开(公告)号：CN1098938C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN97101018.8
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/305 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括：气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向电流加于一对线圈，在熔化物内产生会交磁场，该磁场包含相对于坩埚的、定位在连通通道位置的垂直部分，和定位在熔化物表面下的水平部分，可减小熔化物的流速并抑制其对流。获得高质量的半导体单晶。
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公开(公告)号：CN1168859A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97104937.8
申请日：1997-03-25
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
Abstract: 一种利用安装有提升机构的承载设备来提升环形部件和将其承载和布置在预定位置的环形部件提升设备，它包括一个从提升机构悬挂下来的悬置部件，多个从悬置部件在一个水平平面内沿着径向延伸的支承臂。每个所述支承臂具有一个用于从环形部件的内部支承环形部件的啮合顶部。
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公开(公告)号：CN1165208A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN97101009.9
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状源材料加进外坩埚里的半导体熔化物内的源材料供应管，注入进源材料供应管的源材料和惰性气体一起流向密封的容器，其特征为：在惰性气体的流速N(l/min.cm2)在0.0048P+0.0264＜N＜0.07P内的条件下注入源材料，这里P(Torr)是气密容器里的内压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229528C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01121891.6
申请日：2001-06-26
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , G01N33/20 , G01N2033/0095
Abstract: 提供实际上不进行单晶的拉制，能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中，然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后，从腐蚀槽4提出，将腐蚀液3取样后，使取样过的液体放置一定时间，在多晶硅的微粒或粉末完全溶解时，使用液中粒子计数器7，测定一定量的液中的粒子数。
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公开(公告)号：CN1183578C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件，高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且，提供一种可以抑制水分浓度的增加，防止重金属污染，同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室(1)内或所述反应室的气体排放系统内的水分浓度，根据所述水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且，在用连接于衬底运送系统(2、3)内密闭空间的第1水分计(6)测量所述密闭空间的水分浓度后，用所述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序，及在所述衬底运送工序后，用连接于反应室(1)的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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公开(公告)号：CN1131891C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1083077C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN97111421.8
申请日：1997-05-20
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/10 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明提供了一种在安全性、简易性及速度方面对将坩锅1固定到单晶拉制设备之支承底座10上的操作进行的改进。在将坩锅1固定到支承底座10的方法中，支承底座10被分成一个底段11和一个可装配到底段11上的鼓形段12，坩锅1安装在底段11上。通过将鼓形段12装配到底段11上而组装成支承底座10。
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公开(公告)号：CN1330173A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121891.6
申请日：2001-06-26
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , G01N33/20 , G01N2033/0095
Abstract: 提供实际上不进行单晶的拉制,能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中,然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后,从腐蚀槽4提出,将腐蚀液3取样后,使取样过的液体放置一定时间,在多晶硅的微粒或粉末完全溶解时,使用液中粒子计数器7,测定一定量的液中的粒子数。
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