-
公开(公告)号：CN1588664A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053567.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与W/SiO2/Si衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域(纵向与横向尺度)大小与针尖面积、施加在针尖上的电能有关，针尖面积规定了存储器的器件尺度，相变材料非晶到多晶的转变可通过探针接口上的I－V测试系统来实现，一定的电压、电流范围，多次操作，相变区域可由小变大，直致最大饱和尺度。多晶向非晶的转变，可通过PRAM测试系统来实现，转变区域可通过电压脉冲信号脉高、脉宽来控制。该系统可实现对材料可逆相变操作，实现存储单元读、写、擦与疲劳特性的研究。
-
公开(公告)号：CN1588106A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053566.7
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm，间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
-
公开(公告)号：CN1554987A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122870.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级的图形的印刻法制备工艺，属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高，不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的可重复性。
-
公开(公告)号：CN1527450A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151154.6
申请日：2003-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70％，阈值电流降低25％左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068858A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710056494.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/1608 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种用于选通驱动器件的相变材料、选通驱动器件及其制备方法，用于选通驱动器件的相变材料的通式为：Y1‑xAsx，其中，Y为包括至少一种第六主族元素的相变材料，0＜x≤0.3。本发明的所述用于选通驱动器件的相变材料通过在相变材料中掺杂砷原子，可以在相变材料中形成导电通道，从而提高相变材料的相变临界电压及开启后的电流密度；当所述相变材料用于选通驱动器件时，利用相变材料的OTS开关特性实现开启和关闭，同时在选通驱动器件开启状态时，砷原子掺杂形成的导电通道可提供大的驱动电流，用于驱动相变存储单元的相变以实现信息的存储和擦除；使用所述相变材料的选通驱动器件可以实现三维集成，从而大大提高存储器的集成度和存储密度。
-
公开(公告)号：CN106784309A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611151682.1
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/143 , H01L45/04 , H01L45/165
Abstract: 本发明提供一种OTS材料、选通管单元及其制作方法，所述OTS材料为包括Ge、Se及As三种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为GexSeyAs100‑x‑y，其中，x、y为元素的原子百分比，且10
-
公开(公告)号：CN102569652B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210076528.8
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
-
公开(公告)号：CN1905077B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200610028229.1
申请日：2006-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信号发生器、数字信号源、微控探针台和转换连接部件组成；其中，通过通用接口总线使主控计算机与脉冲信号发生器和数字信号源相连；通过控制卡的控制电缆使脉冲信号发生器和数字信号源与微控探针台相连；主控计算机通过控制于控制探针台在脉冲信号发生器和数字信号源之间切换；微控探针台的两个探针分别与相变存储器的上、下电极接触，构成一个存储单元，并通过操作模块进行电流-电压、电压-电流、电阻与写脉高、电阻与写脉宽、电阻与擦脉高、电阻与擦脉宽以及疲劳等七种测试。
-
公开(公告)号：CN101372606B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810201175.3
申请日：2008-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01-5wt％的氧化剂、0.01-4wt％的表面活性剂、0.01-3wt％的有机添加剂、0.2-30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4以下。利用上述抛光液对相变材料GexSbyTe(1-x-y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
318
records
(took 0.047 seconds)
