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公开(公告)号：CN100437353C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410065998.X
申请日：2004-12-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a-Si/SiNX多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。
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公开(公告)号：CN101162753A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710134577.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的增强，可以与半导体工业相兼容，具有操作方便、快捷、成本低廉、制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点，完全可以应用于未来的硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN101145140A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710025077.4
申请日：2007-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: G06F13/362
Abstract: 本发明公开了一种基于片上多处理器系统的动态自适应总线仲裁器，包括接口控制模块、随机数产生模块、动态“彩票”数产生模块、定时器模块和Lottery总线仲裁模块；随机数产生模块接收接口控制模块信号输出随机数的范围配置成各处理器对总线申请要求下的“彩票”总数；动态“彩票”数产生模块存储每个处理器所持的初始“彩票”数目，并响应于定时器模块所产生的中断信号的激活；Lottery总线仲裁模块根据各个处理器所持的“彩票”数目，来控制系统总线的使用优先权。本发明降低了算法复杂度，降低了各处理器的总线等待时间并且能更好地控制各处理器占据的总线带宽，提高了系统性能，对于片上多处理器系统的设计具有重要的参考价值。
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公开(公告)号：CN101131710A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710132285.4
申请日：2007-09-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的LDPC编解码硬件仿真系统，该系统包括PC端控制软件和基于FPGA的硬件部分，硬件部分包括了PCI接口控制模块，随机数发生器，高斯噪声发生器，LDPC编/解码等主要模块。本发明基于FPGA硬件实现了对LDPC码的仿真研究，同时，该系统具有很好的可控性、可观测性和可重用性，并大大提高仿真速度(为软件仿真速度的300多倍)，为更好地研究同类纠错码提供良好的实验环境。
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公开(公告)号：CN101030695A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710020973.1
申请日：2007-04-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射率层的a－SiNx/a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a－SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976068A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a－Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
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公开(公告)号：CN1242454C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03131685.9
申请日：2003-06-06
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。
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公开(公告)号：CN1484278A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03131685.9
申请日：2003-06-06
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a－Si薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a－Si∶H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。
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公开(公告)号：CN114138235B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111480141.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 南京大学
IPC: G06F7/72
Abstract: 本发明提供了一种软硬协同的分段扫描式蒙哥马利模幂计算系统。SoC平台内置ARM处理器和FPGA资源。ARM端主要做整体任务调度，以及#imgabs0#进制分段扫描算法所必备的数据预处理。将处理好的数据存入SRAM的特定地址中，之后启动FPGA进行运算。FPGA端实现模块化设计，包括地址生成模块，模逆模块，CIOS蒙哥马利模乘模块，分段扫描式蒙哥马利模幂控制模块等。本发明实现256bit模幂，采用6bit的分段扫描方式，需要进行(#imgabs1#)的数据预处理，存入SRAM。具体的蒙哥马利模乘模块采用CIOS算法实现，将大位宽256bit乘法进行64bit拆分，减少大位宽乘法所带来的面积消耗，同时对CIOS算法进行流水化方面的优化，将原来的两个内循环进行流水处理，仅增加少量周期完成两个内循环，提高执行效率。
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公开(公告)号：CN119560468A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510113094.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构，属于芯片散热技术领域，芯片的封装散热结构包括：基板；完成晶圆级封装多芯片结构，位于基板的一侧，完成晶圆级封装多芯片结构包括若干芯片和围堰，芯片包括相对设置的功能面和背面，围堰环绕设置于芯片的外围，围堰靠近芯片背面一侧的表面与芯片的背面平齐；金属散热盖，盖设于基板的一侧，并与基板围成用于容置完成晶圆级封装多芯片结构的容置腔，金属散热盖与位于最外围的围堰通过粘贴胶固定连接；若干芯片、相邻芯片间的围堰、金属散热盖与粘贴胶共同围成液态金属散热通道，液态金属散热通道内填充有液态金属且末端封闭，本发明提供的封装散热结构具有较高的散热能力。
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