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公开(公告)号：CN101017873A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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公开(公告)号：CN100446290C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNX薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNX薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101114102A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a－SiNx和a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a－SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5－9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN100442561C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
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公开(公告)号：CN100504564C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN100464472C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710020973.1
申请日：2007-04-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。
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公开(公告)号：CN101030695A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710020973.1
申请日：2007-04-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射率层的a－SiNx/a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a－SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。
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