公开(公告)号：CN100446290C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710020068.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  钱波 ,  韩培高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  王祥 ,  马忠元 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNX薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNX薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。

公开(公告)号：CN101132042A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710132145.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  董恒平 ,  王旦清 ,  李伟 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5－1之间，薄膜厚度60－100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：在衬底温度为95－105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a－SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10－30min；形成富硅的掺氧a－SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。

公开(公告)号：CN101017873A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710020068.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  钱波 ,  韩培高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  王祥 ,  马忠元 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。

公开(公告)号：CN100555692C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710132145.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  董恒平 ,  王旦清 ,  李伟 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。