公开(公告)号：CN1438168A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03113046.1

申请日：2003-03-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄信凡 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐骏 ,  冯端 ,  王明湘 ,  姜建功 ,  施伟华

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C30B29/605

Abstract: 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗/非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其中a－Si：H子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：150－250℃。本发明实现限制性结晶能够有效地控制硅量子点的形成与大小分布，由于多层调制结构中a－Si：H子层的厚度可人工设计，精度可达0.5nm，可控性强，从而使得最后形成的nc－Si量子点尺寸也可人工设计并控制。介质层a－SiNX：H或a－SiO2子层厚度可薄至5nm，

公开(公告)号：CN1242454C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。

公开(公告)号：CN1484278A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a－Si薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a－Si∶H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。