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公开(公告)号：CN102916041A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210458192.1
申请日：2012-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述隔离区上形成有基区，所述基区上形成有发射极和基极，所述发射极和基极分别被侧墙氧化层包围；所述集电区包括掺杂硅膜以及位于所述掺杂硅膜下部的重掺杂第一多晶硅层。本发明的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法利用高剂量的Si离子注入，在SOI的顶层硅膜与埋氧层交界的地方形成多晶硅，多晶硅层降低了集电极电阻，从而有效提高了基于SOI的SiGeHBT器件的截止频率。
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公开(公告)号：CN102879858A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210419042.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括：用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导；用于接入第三波长的光波信号的上传波导；第一输出波导；第二输出波导；及多模波导耦合器；该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号，并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出；此外，该多模波导耦合器所具有的光栅，能反射所述第三波长的光波信号，并使该光波信号由输入波导输出。优选地，输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括：结构紧凑小巧，且制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN102789024A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110129324.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种T型分支波导，利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中：硅柱区域中，刻蚀形成的硅柱呈长方晶格排列在SOI顶层硅上，硅柱的深度为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导为T型分支波导的输入波导，且距离硅柱区域与所述SOI条形波导平行的两边界均有一距离。该T型分支波导对于入射光束角度极不敏感，分束区的长度可以控制在10μm以内，极大缩短总体器件长度，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计。
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公开(公告)号：CN102789023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128181.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种光子晶体分束器，利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中：空气孔区域中，刻蚀形成的空气孔呈正方晶格排列在SOI顶层硅上，其深度即为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导即为分束器的输入波导，其距离空气孔区域与之平行的两边界均有一距离。该分束器分束区的长度可以控制在10μm以内，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计，能够更为广泛的用在未来的光子芯片中。
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公开(公告)号：CN102104063B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910201332.5
申请日：2009-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L21/331 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/7317 , H01L29/66265
Abstract: 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI BJT与SOI CMOS的兼容性，使SOI BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102737963A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210254017.0
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si（0≤x
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公开(公告)号：CN101771028B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910200961.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/075 , H01L21/50 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本发明揭示了一种白光LED芯片，包括构成顺次构成层叠结构的第一类型LED芯片、第二类型LED芯片、及第三类型LED芯片；所述第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片均包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜。本发明还提供一种LED芯片的制造方法，包括分别制作包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜的第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片，并将上述三者键合以构成层叠结构的步骤。本发明的有益效果在于：节约芯片面积，发光效率高。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102176215B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110072771.8
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，通过设计制作辅助器件，测量电学特性数据，获取中间数据，在中间数据的基础上提取模型参数，建立浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型，并利用中间数据及辅助器件数据提取模型参数，编写宏模型，建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。本发明提出的建模方法考虑了体引出结构中引出部分的寄生晶体管的影响，利用该方法建立的模型系列能更加准确的反应体引出结构及浮体结构的SOI场效应晶体管的实际工作情况及电学特性，提高了模型的拟和效果。
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公开(公告)号：CN102468124A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532645.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/283 , C30B25/18 , C30B33/02
CPC classification number: C30B29/52 , C30B1/00 , H01L21/28518 , H01L29/165 , H01L29/456
Abstract: 本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜，并在Al薄膜上淀积出一Ni层，然后进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al插入层的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。
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