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公开(公告)号：CN104124316A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201310149226.3
申请日：2013-04-25
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/26 , H01L33/005 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/285 , H01L33/305 , H01L33/502
Abstract: 本发明公开一种无机电致发光器件，包括：衬底、依次沉积在衬底正面的发光层、第一势垒层和透明电极层、以及沉积在衬底背面的欧姆接触电极；衬底与发光层之间还可沉积有第二势垒层；所述的发光层为掺杂稀土的氧化物薄膜，第一势垒层和第二势垒层为禁带宽度大于发光层0.2～1eV的氧化物薄膜。本发明还提供了上述发光器件的制备方法。该发光器件在较低的直流偏压下会在掺入稀土的特征区域发光；发光强度随着注入电流的增大而增加。本发明提供一种结构简单、制造方便、成本低廉、光谱范围宽、波段易于控制、不易老化的无机电致发光器件，可与微电子器件结合形成硅基光电器件，在激光器、照明、显示屏幕、光纤通讯以及光电检测等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102425011B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110366137.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用。该腐蚀液由摩尔浓度为0.25～0.35mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比1∶2～1∶1混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为2.8×1018～4.5×1019cm-3的 晶向重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻P型直拉硅单晶空洞型缺陷的显示；具有腐蚀速度快，腐蚀效果好，图像形貌规则、清晰易辨，操作简单方便等特点。
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公开(公告)号：CN103787404A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310754107.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶的制备方法，首先将单分散氧化铟锡纳米晶、醋酸铟、醋酸亚锡、十四酸与十八烯混合，得到混合液A，经抽真空处理后，在110℃～140℃保温1～3h；所述混合液A中单分散氧化铟锡纳米晶的摩尔浓度为10-3～10-1M，醋酸亚锡、醋酸铟的摩尔比为0.01～0.25；将混合液A加热到240℃～300℃，向混合液A中注入油胺，惰性气体保护下,保温2～5h，再经萃取、洗涤后得到所述的尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶；所述油胺的注入速度为1～10ml/h。制备得到的单分散氧化铟锡纳米晶材料尺寸均一、且尺寸可控，可应用于制备基于表面等离激元原理的传感、光学等器件。
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公开(公告)号：CN103757689A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310754926.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品，具体是先在坩埚内壁涂上一层高纯的氮化硅或氧化硅层，然后在坩埚底部中心放置一小块无位错单晶硅籽晶，再打开对应于单晶硅籽晶的坩埚底部冷却水或冷却气体对中心的单晶硅籽晶进行冷却，通过热场控制温度梯度为5～30℃/cm，形成以单晶硅籽晶为中心的球冠型固液界面，最后逐步打开保温罩，再经降温冷却后形成全单晶化的铸造单晶硅。所述的制备方法减少了单晶硅籽晶的用量，大幅降低了单晶硅籽晶的制备和材料成本，同时通过改进热场控制有效减少边缘多晶硅区域、提高类单晶的比例；制备得到的铸造单晶硅的位错密度可以有效控制在106/cm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103668462A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310624483.8
申请日：2013-11-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种铂钯合金纳米晶的制备方法，氯铂酸和四氯钯酸钠溶解于乙二醇得到混合溶液Ⅰ，聚乙烯吡咯烷酮、抗坏血酸和溴化钾溶解于乙二醇得到混合溶液Ⅱ；不断搅拌下将混合溶液Ⅱ加热至100～150℃，再将混合溶液Ⅰ加入混合溶液Ⅱ中，得到所述的铂钯合金纳米晶；所述溴化钾的摩尔浓度为0.1～0.4mol/L。本发明采用一步法制得具有凹六面体的形貌的铂钯合金纳米晶，该方法所用试剂较为简单，无毒无害，制备方法简单，易实现；制得的铂钯合金纳米晶形貌为凹六面体，具有高指数晶面外露，颗粒大小均匀，且成分可控的特点。
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公开(公告)号：CN103350234A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310283761.8
申请日：2013-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铂铜凹形合金纳米晶的制备方法。将油溶性的铂源和铜源溶于油胺中得第一溶液；将十六烷基三甲基溴化铵和三正辛基氧膦溶解于油胺中得第二溶液；将第二溶液搅拌的同时加热至160-200℃，用移液枪将第一溶液注入上述第二溶液中，160-200℃下反应2-24小时；将得到的产物离心分离，即得铂铜凹形合金纳米晶。本发明所用试剂较为简单，无毒无害，制备方法简单，较易实现，具有较重要的学术和现实意义。本发明还公开了所述制备方法制备的铂铜凹形合金纳米晶，大小均一，分散性好，成分可调。
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公开(公告)号：CN103343382A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310202809.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C25F3/12 , C25F3/14 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种下转换发光多孔硅材料及其制备方法，在银离子辅助下，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，同时生成的多孔硅具有很强的发光性能，在波长500nm以下的光的激发下，可以产生波峰位于600～1000nm的近红外光。本发明还公开了该下转换发光多孔硅材料的应用，将制备的多孔硅材料从硅片剥离后经研磨后配制成溶液，旋涂在晶硅太阳能电池的表面，使得太阳能电池片的下转换发光效应明显增强，具有很强的时效性，将它与传统的电池制备工艺简单结合即可制得多孔硅下转换晶硅太阳能电池，整个生产工艺简单，技术成熟，具有一定的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN102263243B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110167445.5
申请日：2011-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法，包括：将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗后干燥备用；通过热丝化学气相沉积装置在清洗过的金属衬底表面生长得到阵列化镍硅纳米线；进一步在得到的阵列化镍硅纳米线的表面通过射频溅射的方法沉积一层厚度可控的硅，得到阵列化镍硅-硅核壳纳米线。金属衬底和生长在金属衬底上的阵列化纳米线材料构成锂离子电池负极。本发明制备方法简单可控，制得的纳米线材料可用于锂离子电池负极并期待获得优异的性能。
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公开(公告)号：CN102347223B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110298670.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/225 , C30B31/02
Abstract: 本发明公开了一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200-500℃下首次热处理5-60分钟，随后在750-1100℃、在含氧气氛下再次热处理30-120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。本发明所选原料中硅元素在地壳里的含量非常大，易得、无毒。同时，胶态硅纳米颗粒的应用使对硅片掺杂的工艺简化，能简便的实现选区掺杂。
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