公开(公告)号：CN103123810A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310002175.1

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/0275 ,  G11C19/00 ,  G11C19/184 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H03K3/36

Abstract: 本发明的目的在于：在移位寄存器中抑制晶体管的阈值电压的变动以防止在非选择期间中晶体管错误工作。本发明的特征在于：在设置在移位寄存器中的脉冲输出电路中，在不输出脉冲的非选择期间中对处于浮动状态的晶体管的栅电极定期供给电位以使栅电极接通。此外，其特征还在于：通过定期使其他晶体管接通或截止，来对晶体管的栅电极供给电位。

公开(公告)号：CN102779476A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210144710.2

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G2320/045 ,  G09G2330/021 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置的驱动方法在使用发光元件等的显示装置中降低耗电量而不损失显示质量。在本发明的显示装置的驱动方法中，进行第一动作及第二动作，在第一动作中将晶体管的阈值电压保持在电容元件中，在第二动作中通过利用由电容元件进行的电容耦合，从而将对与图像信号对应的信号电位加上阈值电压后的电位输入到该晶体管的栅极，以使该晶体管的漏极电流流到发光元件，对于多个帧进行一次第一动作。在此，包括对电容元件与被输入电源电位的布线之间的电连接进行选择的开关，作为该开关使用其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管。

公开(公告)号：CN102737605A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210238516.0

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  梅崎敦司

IPC: G09G3/36 ,  G11C19/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G3/3216 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0254 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/043 ,  G11C19/28 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、显示装置以及电子装置，该半导体装置包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、以及第七晶体管，其中所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的源极和漏极之一以及所述第五晶体管的栅极，其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述第四晶体管的栅极，其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极之一、所述第四晶体管的源极和漏极之一、所述第六晶体管的栅极、以及所述第七晶体管的源极和漏极之一，其中所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第六晶体管的源极和漏极之一。

公开(公告)号：CN102714025A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080062021.6

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  荒泽亮

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G09G3/20 ,  G09G3/34

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G02F1/133555 ,  G02F2203/30 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0456 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2320/066 ,  G09G2320/10 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/0435

Abstract: 在图像信号写入期间中，对第一液晶元件和第一电容器供给来自信号线的第一图像信号。在背光灯点亮期间中，在透光像素部中进行显示以响应第一图像信号。在黑色灰度信号写入期间中，在反射像素部中对第二液晶元件和第二电容器供给来自信号线的用来黑色显示的信号。在静态图像信号写入期间中，对第一液晶元件、第一电容器、第二液晶元件和第二电容器供给来自信号线的第二图像信号。在静态图像信号保持期间中，在反射像素部中进行显示以响应第二图像信号。

公开(公告)号：CN102656625A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080057193.4

申请日：2010-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  三宅博之

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3618 ,  G02F1/1345 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/044 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/04 ,  G09G2310/061 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0209 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/10 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2340/16 ,  G09G2354/00

Abstract: 液晶显示设备包括：设置有端子部分、开关晶体管、驱动电路部分、以及包括像素晶体管的像素电路部分的第一基板；设置有经由开关晶体管电连接到端子部分的公共电极的第二基板；以及像素电极和公共电极之间的液晶。在静止图像切换到活动图像的周期中，按顺序执行以下步骤：将公共电位（端子206A的电位）供应到公共电极的第一步骤；将电源电压（Vdd）供应到驱动电路部分的第二步骤；将时钟信号（GCK）供应到驱动电路部分的第三步骤；以及将起动脉冲信号（GSP）供应到驱动电路部分的第四步骤。

公开(公告)号：CN102598282A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049953.7

申请日：2010-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G02F1/17 ,  G02F1/19

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种用于晶体管的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主（施主）的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够通过控制设置于关于氧化物半导体层的彼此相对的两侧上的一对导电膜的电位来控制，它们各自具有绝缘膜布置于它们之间，使得形成于氧化物半导体层中的沟道的位置得以确定。

公开(公告)号：CN102576732A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080019588.5

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  三宅博之 ,  桑原秀明 ,  高桥辰也

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78645

Abstract: 半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。

公开(公告)号：CN102403319A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110257312.7

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 纳光明 ,  三宅博之 ,  宫崎彩 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C8/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。

公开(公告)号：CN101911166A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102762.X

申请日：2009-01-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福本良太 ,  三宅博之 ,  棚田好文 ,  高桥圭

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2330/025

Abstract: 减小了信号线的电位的幅度并且防止扫描线驱动电路过度负荷。发光器件包括：发光元件；具有第一电位的第一电源线；具有第二电位的第二电源线；用于控制第一电源线和发光元件之间的连接的第一晶体管；第二晶体管，其根据视频信号而被控制是否输出从第二电源线施加的第二电位；用于选择从第一电源线施加的第一电位或第二晶体管的输出的开关元件；以及用于选择由开关选择的第一电位或第二晶体管的输出是否施加到第一晶体管的栅极的第三晶体管。

公开(公告)号：CN100507993C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580040298.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岩淵友幸 ,  三宅博之

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0871 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/0242 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 有源矩阵EL显示装置中充电和放电源极信号线所需的功耗降低。双极晶体管(Bi1)的基极端子B连接到运算放大器(OP1)的输出端子c1，集电极端子C连接到低电源电势(GND)，且发射极端子E连接到电阻器R2。高电源电势(VBH)为与发光元件的高电源电势同步的电势。运算放大器(OP1)的输出端子c1的电势被输出作为缓冲器低电源电势(VBL)。低电源电势(VBL)对应于高电源电势(VBH)和高电源电势(V1)之间的电势差。因此，低电源电势(VBL)可以跟随为发光元件高电源电势的高电源电势(VBH)。