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公开(公告)号：CN108153001B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
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公开(公告)号：CN111383915B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811619162.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。
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公开(公告)号：CN110880920B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811035898.0
申请日：2018-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底，具有相对的第一表面及第二表面；自第一表面进行第一离子注入，形成第一缺陷层，自第二表面进行第二离子注入，形成第二缺陷层；提供具有第一键合面的第二衬底及具有第二键合面的第三衬底，将第一键合面与第一表面键合，第二键合面与第二表面键合；剥离第一衬底，在第二衬底上形成第一剥离层，在第三衬底上形成第二剥离层，获得第一异质薄膜结构以及第二异质薄膜结构，本发明采用双面进行离子注入和进行双面键合的方式，解决了异质衬底制备中，由于热失配导致的键合晶圆解键合甚至碎裂的问题，提高了衬底的产量以及效率，本发明的方案为高效声表面波滤波器的制备提供衬底支持。
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公开(公告)号：CN110065271B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810062550.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；对衬底进行处理，以于衬底的表面形成一离子膜层；提供一石墨烯层，并转移石墨烯层至离子膜层的表面；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分离子膜层转换成对应的气体，该气体使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆该气体的石墨烯气泡，通过上述方案，本发明可以在任意衬底上制备得到石墨烯气泡，不受衬底限制；本发明的具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该结构的制备方法，可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN111435649A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910027054.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L27/12 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使第二半导体衬底从剥离界面处剥离，形成顶半导体层；图形化刻蚀所述顶半导体层，以形成悬空并横跨于所述凹槽上的半导体纳米线结构。本发明先制作出图形化结构的SOI衬底，该SOI衬底可通过干法刻蚀直接制备镂空的半导体纳米线，在制备半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111435644A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910027378.3
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层，于栅介质层表面形成栅电极层；5)以栅电极层作为掩膜，进行离子注入工艺以形成源区及漏区；6)去除栅电极层包围以外的栅介质层；7)于源区及漏区形成源电极及漏电极。本发明采用栅电极层作为掩膜进行源区及漏区的自对准注入，可有效提高工艺稳定性以及注入精度，并可有效降低工艺成本。本发明在制备半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。
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公开(公告)号：CN111435643A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910027361.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，其显露源区及漏区的制备区域；5)进行离子注入以形成源区及漏区；6)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层及栅电极层，并图形化形成栅极结构；7)形成源电极及漏电极。本发明的环栅晶体管采用后栅工艺制备，可有效提高栅极材料的选择范围，从而实现不同的器件性能要求。本发明在刻蚀半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。本发明可有效提高器件的集成度。
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公开(公告)号：CN111435637A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910027050.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种图形化结构的SOI衬底的制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使第二半导体衬底从剥离界面处剥离。本发明的SOI衬底的绝缘层中具有图形化空腔，可以有效改善绝缘层局部的介电常数，扩大SOI衬底的应用范围。
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公开(公告)号：CN111293216A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811495874.3
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L43/12 , H01L27/22 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层，形成于第一金属连接层上；固定磁层，形成于第一金属过渡层上；隧穿层，形成于固定磁层；自由磁层，形成于隧穿层上；第二金属过渡层，形成于自由磁层上；第二金属连接层，形成于第二金属过渡层上。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺制作自由磁层，相比于溅射工艺来说，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明可以将磁性隧穿结器件直接制备于传统的硅基CMOS电路上，也可制备在柔性衬底电路上，减小了器件制备成本，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN110391131A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810368167.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法，制备包括：提供键合衬底，具有离子注入面；于离子注入面进行离子注入，以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，且具有刻蚀面，自刻蚀面刻蚀支撑衬底，以在支撑衬底上形成凹槽结构；将离子注入面与刻蚀面进行键合；沿缺陷层剥离部分键合衬底，使键合衬底的一部分转移至支撑衬底上，获得表面无泡且低应力异质薄膜复合结构。本发明在支撑衬底上光刻凹槽结构，增加了键合界面处气体与支撑衬底的接触面积，打开了界面气体向外界释放的通道，使界面处产生的气体更好的扩散进支撑衬底或外界环境，得到表面无泡的键合薄膜，也使转移的键合薄膜的应力得到释放，使异质薄膜结构有利于后期器件制备。
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