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公开(公告)号：CN101464610A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810177436.2
申请日：2008-11-27
CPC classification number: G03B5/00
Abstract: 本发明提供一种能够进行振动检测元件的异常判定处理的振动修正控制电路。具备：至少一个模拟/数字变换电路(20)，将来自对摄像装置的振动进行检测的振动检测元件(106)的输出信号、及来自对光学部件的位置进行检测的位置检测元件(102)的输出信号变换为数字信号；和逻辑电路，根据由模拟/数字变换电路(20)数字化后的振动检测元件(106)的输出信号、和由模拟/数字变换电路(20)数字化后的位置检测元件(102)的输出信号，生成用于驱动光学部件的控制信号；根据由模拟/数字变换电路(20)变换为数字信号的、来自振动检测元件(106)的输出信号的振幅，进行振动检测元件(106)的异常判定。
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公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN101452926A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810191187.2
申请日：2008-09-26
CPC classification number: H05K3/284 , G09G3/296 , H05K1/0231 , H05K1/053 , H05K1/181 , H05K2201/10166 , H05K2201/10636 , H05K2201/10977 , H05K2203/1322 , Y02P70/611
Abstract: 在采用金属基板的一种混合集成电路装置中，防止因陶瓷电容器根据开关晶体管的导通、截止产生伸缩而引起的振动传递到金属基板上产生声音噪声。为了提高散热效果，在绝缘处理后的金属基板(5)上的导电通路(3)中装入由驱动脉冲驱动的开关晶体管(Q1)和与该开关晶体管(Q1)连接的陶瓷电容器(C1)，用焊料(4)将陶瓷电容器的两端固定在上述导电通路(3)上，用硬质性树脂(7)覆盖焊料(4)，避免金属基板的热膨胀引起的焊料裂缝，用柔性树脂(8)覆盖整个陶瓷电容器(C1)和硬质性树脂(7)，用柔性树脂吸收由陶瓷电容器在开关时产生的膨胀引起的噪声，从而防止金属基板共鸣。
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公开(公告)号：CN101447665A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179241.1
申请日：2008-12-01
Inventor： 内山祐二
CPC classification number: H02M1/32 , H02H7/0838 , H02P6/085 , H02P7/04 , H02P29/02 , H02P29/027
Abstract: 本发明的马达驱动电路适当地进行过电流保护。具备：通电控制电路，为了使马达线圈通电而控制连接在马达线圈上的驱动晶体管的导通和截止；过电流状态检测电路，检测是否处于流过驱动晶体管的电流超过规定的阈值的过电流状态；充放电电路，在基于由过电流状态检测电路检测出过电流状态的情形而开始向电容器充电之后，基于没有检测出过电流状态的情形而使电容器放电；过电流保护控制电路，在直到经过电容器的充电电压从规定电压到超过阈值电压的充电期间为止的期间事先停止由通电控制电路进行的驱动晶体管的导通和截止控制而使驱动晶体管截止，在经过了充电期间之后通过检测过电流状态来决定是否进行使驱动晶体管截止的过电流保护控制。
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公开(公告)号：CN101446689A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810128865.0
申请日：2008-06-20
CPC classification number: G02B27/646 , H04N5/23248 , H04N5/23258 , H04N5/23287
Abstract: 本发明提供一种防振控制电路以及摄像装置。其中备有：检测摄像装置的振动的多个振动检测元件(106)；检测光学部件的位置的多个位置检测元件(102)；将多个振动检测元件及多个位置检测元件的输出信号转换成数字信号的模拟/数字转换电路(20)；和根据由模拟/数字转换电路数字化后的多个振动检测元件的输出信号及多个位置检测元件的输出信号，生成用于驱动光学部件的控制信号的逻辑电路，模拟/数字转换电路针对多个轴方向对多个振动检测元件的输出信号进行数字化并输出后，连续地对多个轴方向的多个位置检测元件的输出信号进行数字化并输出。因此，可以使得逻辑电路化的防振控制电路进一步小型化，高精度且迅速的进行防振控制处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419965A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810211468.X
申请日：2008-09-26
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种经由引脚将内建的电路元件予以电性连接，由此同时达成高功能化及小型化的电路装置。在混合集成电路装置(10)中，重叠的第1电路基板(18)及第2电路基板(20)组入盒材(12)。并且，在第1电路基板(18)上表面配置有第1电路元件(22)，在第2电路基板(20)上表面配置有第2电路元件。再者，在装设于混合集成电路装置(10)的引脚中具有：引脚(28A)，仅连接在安装于第1电路基板(18)的第1电路元件(22)；引脚(30)，仅连接在安装于第2电路基板(20)的第2电路元件(24)；及引脚(28B)，连接在第1电路元件(22)及第2电路元件(24)的两方。
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公开(公告)号：CN101409538A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810146743.4
申请日：2008-08-27
CPC classification number: H03H11/1213
Abstract: 本发明提供一种高通滤波器，减小电容器的容量而实现截止频率较低的滤波器。电容器(C1)的一端接收输入信号，从另一端侧输出输出信号。设置有电阻电路，该电阻电路连接到该电容器(C1)的另一端侧，在电容器与电源之间作为电阻而发挥功能。该电阻电路包括：PNP晶体管(Tr1)，其基极被连接到上述电容器的另一端；NPN晶体管(Tr2)，其基极被连接到上述电容器的另一端。并且，差动放大器(2)分别对这些PNP晶体管以及NPN晶体管提供互补的电流。另外，对上述差动放大器负反馈上述电容器的另一端侧的信号。
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公开(公告)号：CN101404278A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810169517.8
申请日：2008-09-27
IPC: H01L25/00 , H01L23/367 , H01L23/31 , F24F1/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种可提高安装密度，并抑制内建的电路元件彼此间的热干涉的电路装置、电路模块及室外机。本发明的解决手段如下，在混合集成电路装置(10)，是在外罩材(12)组装有重叠的第1电路基板(18)及第2电路基板(20)。此外，在第1电路基板(18)的上面配置有第1电路元件(22)，在第2电路基板(20)的上面配置有第2电路元件。再者，在外罩材(12)的内部，设置有未填入密封树脂的中空部(26)(内部空间)，此中空部(26)与外部构成为经由将外罩材(12)形成部分开口所设置的连通口(15A)而连通。
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公开(公告)号：CN101399268A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161791.0
申请日：2008-09-26
Inventor： 佐山康之
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66712
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在具有超结结构的衬底形成MOSFET时，例如若是n沟道型MOSFET，则在柱状p－型半导体区域形成沟道区域。超结结构通过将柱状半导体区域微细化而具有可降低电流路径的电阻值的优点，但因微细化而导致在扩散区域形成的沟道区域彼此的间隔距离也变窄，存在栅电极下方的电流路径变窄、电阻值增加的问题。在栅电极的下方设置高浓度的n型杂质区域。通过将栅极长度设定在沟道区域的深度以下，可使由n型杂质区域的侧面与相邻沟道区域的侧面形成的pn接合面大致垂直于衬底表面。由此，即使进行超结结构的微细化，也不会超过必要程度地缩窄沟道区域间的间隔距离(栅电极下方的电流路径)，故能避免电阻增加。而且，由于在n型半导体区域内，耗尽层均匀扩展，可提高该区域的杂质浓度，故有助于降低电阻。
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公开(公告)号：CN101399263A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810168333.X
申请日：2008-09-26
Inventor： 西塔秀史
IPC: H01L25/16 , H01L23/04 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L25/165 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H05K1/056 , H05K3/0061 , H05K2201/10409 , H05K2201/10946 , H05K2201/2018 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种抑制壳体构件的弯曲的电路装置。本发明的电路装置具备：电路基板(18)，其在上表面安装有由导电图案(22)和电路元件构成的混合集成电路；壳体构件(12)，其具备构成为框缘形状的四个侧壁部，通过与电路基板(18)抵接而在电路基板(18)的上表面构成密封电路元件的空间；以及引线(14)，其被固定在由导电图案(22)构成的焊盘(13)上并延伸到外部。并且，在壳体构件(12)的角部设置有使侧壁部的内部连续的支承部(30A)。
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