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公开(公告)号：CN103631092A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210312959.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/09 , G03F7/40 , G03F1/46 , H01L21/027
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有器件层；在所述器件层表面形成抗反射薄膜，所述抗反射薄膜含有氟化聚合物；对所述抗反射薄膜进行热退火，使所述抗反射薄膜形成位于所述器件层表面的第一抗反射层、以及位于所述第一抗反射层表面的阻挡层；在热退火后，在所述阻挡层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层定义出需要刻蚀的位置。半导体结构的形成方法能够减少光刻胶层的污染，提高光刻胶层的图形精度。
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公开(公告)号：CN103376641A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310163203.8
申请日：2013-04-25
Applicant: 株式会社S&S技术
CPC classification number: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。
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公开(公告)号：CN102736400A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210091249.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 関原一敏
Abstract: 本发明提供一种将含有i线、h线、g线的350至450nm的波长领域的紫外线进行照射的光刻工程中适宜的，便宜的耐光性优良的防尘薄膜。本发明的薄膜是在用350至450nm的波长领域的紫外线进行照射的光刻工程中被使用防尘薄膜组件用防尘薄膜。该防尘薄膜的特征是，在原料防尘薄膜的至少曝光光源侧的表面，对350至450nm的波长领域的紫外线的平均透过率为90％以上，同时有对200至300nm的波长领域的紫外线的平均透过率为50％以下的紫外线吸收层。
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公开(公告)号：CN102654730A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102385241A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN118605077A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410863527.0
申请日：2024-06-29
Applicant: 浙江众凌科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种不易脱膜的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤，通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明基板上沉积导电膜或半导体膜，将光阻剂均匀涂覆在透明基板表面，采用旋转涂布技术，利用离心力原理使光阻剂平铺在透明基板上，喷洒阻燃材料，在喷洒阻燃材料后的光阻膜上光刻掩膜图案，将光刻胶和维生素E混合，通过电子束技术光刻掩膜图案，制备光学膜贴附在掩膜图案表面，形成保护膜，制得不易脱膜的掩膜板。该不易脱膜的掩膜板制备方法，有助于实现阻燃剂在掩膜板材料中的均匀分散，从而提高掩膜板的整体性能，提供环保且有效的抗氧化保护，较好地保持掩膜板表面图形的清晰和准确。
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公开(公告)号：CN109254496B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810770791.4
申请日：2018-07-13
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种光掩模坯料，可得到高精度的掩模图案，且能够抑制显示不均的光学特性，具有：透明基板；遮光膜，从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为25～75原子％、氧的含有率为15～45原子％、氮的含有率为10～30原子％的组成，遮光层为含有铬和氮的铬系材料，具有铬的含有率为70～95原子％，氮的含有率为5～30原子％的组成，第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为30～75原子％、氧的含有率为20～50原子％、氮的含有率为5～20原子％的组成，遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10％以下，光学密度为3.0以上。
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公开(公告)号：CN117008413A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310912704.5
申请日：2023-07-24
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王辉
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成一层抗反射层；步骤二，在所述抗反射层的表面再形成一层光刻胶；步骤三，利用灰度光罩曝光使得负性光刻胶底切区域形成光强自上而下分布，曝光区域保留，非曝光区域显影去除，完成底切图形光刻胶图形化。本发明利用抗反射层结合负性光刻胶，在灰度掩膜的曝光条件下，使得光刻胶底切区域的光强呈自上而下的分布，曝光区域保留，非曝光区域显影去除，能形成结构更加符合预期底切图形。
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公开(公告)号：CN117008412A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310908815.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王辉
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积一层反射层；步骤二，通过光刻、涂胶、曝光、显影定义所述反射层，去除最终光刻胶底切区域以外的所述反射层；步骤三，在整个半导体衬底表面涂布光刻胶；步骤四，利用特殊设计的灰度光罩曝光，灰度光罩要求从Dark主图形向外透光率渐变增强；通过反射层使得光刻胶底切区域形成光强自下而上分布，完成底切图形的光刻胶图形化。本发明通过给不同反射率的半导体衬底使用不同反射率的反射层，结合灰度光罩，反射层所在区域的光罩透光率高，曝光光束通过透光率较高的光罩区域，经反射层反射给光刻胶，能形成形貌更为理想的底切形状，提高lift‑off工艺水平。
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