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公开(公告)号:CN102362488A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201080013270.6
申请日:2010-03-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148 , H04N5/359
CPC classification number: H04N5/37206 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L27/14887 , H01L31/113 , H04N5/3592
Abstract: 在固体摄像装置(1)中,溢流闸(OFG)(5)具有规定的电阻值,电压施加部(161~165)通过连接部(171~175)与OFG(5)电连接。因此,通过电压施加部(161~165)调整对连接部(171~175)施加的电压值(V1~V5),可以提高在OFG(5)的前级侧部分产生的电压值,降低在OFG(5)的后级侧部分产生的电压值。其结果,在OFG(5)的前级侧部分障壁度(电势)变低,在OFG(5)的后级侧部分障壁度变高,因此,可以使在光电转换部(2)的前级侧区域产生的全部电荷向溢流漏极(OFD)(4)流出,而仅将在光电转换部(2)的后级侧区域产生的电荷进行TDI传送。
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公开(公告)号:CN108020845A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201711071599.8
申请日:2017-11-03
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司 , 瓦莱奥开关传感器有限公司
CPC classification number: G01S7/4861 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14856
Abstract: 为了精确的距离测量,本发明提出一种用于确定与对象(14)的距离的接收装置(1),包括:接收器,该接收器包括半导体结构(2),该半导体结构(2)具有产生光诱导的载流子的、朝向背面(B)的光敏区域(4),以及朝向正面(F)的输送区域(6),其中光敏区域(4)和输送区域(6)通过具有在光敏区域(4)与输送区域(6)之间的通道(7)的分隔层(5)相互空间分隔开,其中输送区域(6)具有至少两个并列的栅极(8,8a,8b)的布置,其中栅极中的至少之一(8a,8b)位于在通道(7)的覆盖区域(9)中。
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公开(公告)号:CN104024886A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280063624.7
申请日:2012-12-13
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: A61B6/585 , A61B6/4241 , A61B6/5205 , A61B6/5258 , A61B6/582 , A61B2560/0223 , A61B2560/0238 , G01R29/0273 , G01R29/033 , G01R29/0878 , G01R29/24 , G01T1/171 , G01T1/18 , G06F7/64 , H01L27/14856 , H03K5/1252 , H03K5/2463 , H03K21/40
Abstract: 本发明涉及一种用于探测光子的探测装置(12)。所述探测装置包括堆积确定单元(15),其用于确定指示探测到的光子的探测信号脉冲是由堆积事件还是由非堆积事件引起的,其中,探测值生成单元(16)根据所述探测信号脉冲并且根据对相应探测信号脉冲是由堆积事件还是由非堆积事件引起的确定结果来生成探测值。具体地,所述探测值生成单元能够适于在生成所述探测值时排除由堆积事件引起的所述探测信号脉冲。这允许所生成的探测值的改善的质量。
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公开(公告)号:CN102623479A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210056894.7
申请日:2012-01-20
Applicant: E2V半导体公司
Inventor: F·迈耶尔
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14856
Abstract: 本发明涉及时延和信号积分线性图像传感器(或TDI传感器)。根据本发明,像素包括覆盖半导电层(12)的一连串数个绝缘栅极G1i、G2i、G3i、G4i,一个像素的栅极通过栅极的狭窄的未覆盖的间隙彼此分离并与另一线的相邻像素的栅极分离,并且该所述一个像素的栅极包括由第一类型(p)的掺杂表面区域(16)覆盖的第二类型导电性的掺杂区域(14,n型);表面区域保持在同一参考电势;相邻栅极之间的狭窄间隙的宽度使得:当栅极维持将电荷从一个像素转移到下一个像素所必需的交替的电势时,第二类型的区域的内部电势在狭窄间隙的整个宽度上被更改。
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公开(公告)号:CN109691087A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780054683.0
申请日:2017-09-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: 戴维·L·布朗
IPC: H04N5/369
CPC classification number: H04N5/372 , G02B21/245 , G02B26/128 , H01L27/14856 , H04N5/3698 , H04N5/37206 , H04N5/37213 , H04N5/3725 , H04N5/3765 , H04N2201/04782 , H04N2201/04784
Abstract: 一种时间延迟与积分电荷耦合装置包含像素阵列及时钟产生器。所述像素阵列沿扫描方向及垂直于所述扫描方向的线方向分布,其中所述阵列的所述像素中的至少一些像素包含沿所述扫描方向对准的三个或多于三个栅极。所述时钟产生器提供计时信号以沿着所述扫描方向在包含沿所述扫描方向邻近的两个或多于两个像素的两个或多于两个像素群组之间转移电荷。所述计时信号包含相位信号以通过以下方式沿着所述扫描方向以与目标的速度对应的速率将所述电荷转移到邻近像素群组:驱动所述两个或多于两个像素群组的所述栅极且每像素群组产生用于围阻响应于入射照明而产生的电荷的共用电位阱。
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公开(公告)号:CN107997773A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711051855.7
申请日:2017-10-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 中村贤治
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G01T1/2928 , A61B6/4208 , A61B6/4233 , A61B6/462 , A61B6/487 , A61B6/54 , A61B6/542 , G01D18/006 , G01T1/17 , G01T1/20 , G01T1/208 , H01L27/14856 , H04N5/32 , H04N5/353 , A61B6/42 , A61B6/52
Abstract: 本发明可获得能够缩短放射线图像的摄影时间的放射线图像摄影装置、放射线图像摄影方法及程序存储介质。放射线图像摄影装置(16)具备:放射线检测器(20),包括数据布线(36),该数据布线与像素(32)连接,并且将累积于所连接的像素(32)的电荷作为电信号而传输,其中多个像素(32)以二维状配置;及第1采样保持部及第2采样保持部,将在数据布线(36)传输的电信号分别进行采样保持,在读取累积于像素(32)的电荷时进行如下控制:将薄膜晶体管(32B)设为关闭状态而通过第1采样保持部将在数据布线(36)传输的第1电信号进行采样保持,并且将薄膜晶体管(32B)设为开启状态而通过第2采样保持部将在数据布线(36)传输的第2电信号进行采样保持。
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公开(公告)号:CN102623479B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201210056894.7
申请日:2012-01-20
Applicant: E2V半导体公司
Inventor: F·迈耶尔
IPC: H01L27/148 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14856
Abstract: 本发明涉及时延和信号积分线性图像传感器(或TDI传感器)。根据本发明,像素包括覆盖半导体层(12)的一连串数个绝缘栅极G1i、G2i、G3i、G4i,一个像素的栅极通过栅极的狭窄的未覆盖的间隙彼此分离并与另一线的相邻像素的栅极分离,并且该所述一个像素的栅极包括由第一类型(p)的掺杂表面区域(16)覆盖的第二类型导电性的掺杂区域(14,n型);表面区域保持在同一参考电势;相邻栅极之间的狭窄间隙的宽度使得:当栅极维持将电荷从一个像素转移到下一个像素所必需的交替的电势时,第二类型的区域的内部电势在狭窄间隙的整个宽度上被更改。
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公开(公告)号:CN102971852B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180024387.9
申请日:2011-05-05
Applicant: E2V半导体公司
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L27/14856
Abstract: 本发明涉及图像传感器,更具体地但不仅限于能够信号积分的扫描传感器(或TDI传感器,“时间延迟积分线性传感器”)。根据本发明,沿一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管(PH1i,PH2i)和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极(G1i,G2i)的交替。所述栅极包括主体和一系列窄指状物(20),所述一系列窄指状物(20)在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸,在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻,所述窄指状物通过第一导电类型的掺杂绝缘区域(18)而彼此分离,所述掺杂绝缘区域(18)的掺杂比所述表面区域的掺杂更高且所述掺杂绝缘区域优选地比所述表面区域更深,所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势,这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间。这些指状物感应所述电荷转移的方向性。
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公开(公告)号:CN104995735A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201480008752.0
申请日:2014-02-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , G03F7/20
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14683 , H01L27/14806 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H04N5/353
Abstract: 固体摄像装置(1)包括在半导体基板上以多个图案(2A、2B)在Y轴方向上被接合的方式被曝光而形成的受光部(2)。受光部(2)具有2维状地排列于Y轴方向与正交于Y轴方向的X轴方向的多个像素。在由多个像素中的、排列于X轴方向的多个像素构成的每个像素列,沿X轴方向传输电荷。
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公开(公告)号:CN102893597A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180023447.5
申请日:2011-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/37213 , G01S7/4865 , G01S17/89 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14856 , H04N5/372 , H04N5/3765
Abstract: 本发明涉及驱动装置以及使用该驱动装置的空间信息检测装置,驱动装置具备施加电压控制部,其进行传送处理以控制电荷耦合元件来传送电荷。上述施加电压控制部从上述电荷耦合元件的一列传送电极的第一端侧至第二端侧依次将施加给上述传送电极的电压从产生上述势阱的控制电压切换为终止上述势阱的基准电压。上述施加电压控制部具备:控制电路,其根据时钟信号生成驱动信号;以及驱动电路,其根据上述驱动信号将上述控制电压和上述基准电压选择性地施加到上述传送电极。上述控制电路相对于与相邻的传送电极中的一个对应的上述驱动信号即第一驱动信号使与上述相邻的传送电极中的另一个对应的上述驱动信号即第二驱动信号延迟,将上述第一驱动信号与上述第二驱动信号的相位差设定为与比上述时钟信号的周期短的规定时间对应的值。
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