公开(公告)号：CN104364873A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380030692.8

申请日：2013-06-11

Applicant: 诺伊维翁有限责任公司

Inventor： L·斯科多普洛娃

IPC: H01J3/02 ,  H01J37/077 ,  H01J37/34 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C14/34 ,  H01J37/077 ,  H01J37/18 ,  H01J37/301 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/315 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3137

Abstract: 一种用于生成等离子体并且用于使电子束指向靶(3)的设备(2；2'；2″；2IV；2V；2VI；2VII；2VIII)；该设备(2；2'；2″；2IV；2V；2VI；2VII；2VIII)包括中空元件(5)；激活组(21)，其被设计为以使电子束指向与中空元件分离的另一元件的方式在中空元件(5)和所述分离元件之间施加电势差；以及具有至少一个渐细部分(13)的拉伐尔喷嘴(23)，该渐细部分朝着所述分离元件逐渐变细并且被设计为朝着所述分离元件使气体流加速。

公开(公告)号：CN103003467A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180022808.4

申请日：2011-05-06

Applicant: 弗吉尼亚大学专利基金会 ,  弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： H.N.G.瓦德利 ,  G.马托施 ,  F-H.勒格纳 ,  B.舍费尔 ,  C.梅茨纳

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  C23C14/22 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/228 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32614 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/3137

Abstract: 一种等离子体辅助定向气相沉积工艺，其利用无污电弧定向气相沉积（SA-DVD）方法来在定向气相沉积设备中产生等离子体。通过电子或其他高强度定向能量束蒸发由被包含在水冷却坩埚中的一个或多个源材料产生蒸气。该蒸气被夹带在跨音速氦气或其他气体射流中并且被输运到基板用于沉积。用于蒸发的电子或其他定向能量束被同时用于电离所述蒸气和形成射流的气体（氦气，或其他包括惰性气体和反应气体的组合的气体）。被放置在电子束撞击位置附近的阳极吸引在定向能量束与靶表面的相互作用期间形成的散射电子，并使得能够形成密度高的等离子体。该等离子体首先朝向基板被夹带蒸气的气体射流通过离子拖拽机制输运。然而，如果基板是充分带电的（被电偏置），则等离子体离子被朝向基板静电加速，并且该额外的动量有助于在部件表面上的沉积和蒸气输运。

公开(公告)号：CN101361154B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200780001460.4

申请日：2007-09-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。

公开(公告)号：CN1288584A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802063.X

申请日：1999-01-05

Applicant: 纳幕尔杜邦公司 ,  加州大学评议会

Inventor： D·M·科茨 ,  K·C·瓦尔特

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/32 ,  H01J2237/334

Abstract: 公开了一种用于生产碳质场致发射电子发射体的方法。在密闭室内产生一种离子等离子体,并且利用该等离子体包围碳素物的外露表面。向与碳素物接触的电极施加电压。该电压相对于密闭室中第二个电极为负的电位,从而可用来加速朝向碳素物的离子,并且提供的离子能量足以蚀刻碳素物的外露表面,但不足以导致离子在碳素物内的注入。优选地,所用的离子是惰性气体的离子,或者是惰性气体再加上少量添加的氮的离子。