公开(公告)号：CN103069602B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180039196.X

申请日：2011-07-28

Applicant: 格兰迪斯股份有限公司

Inventor： D.阿帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295

Abstract: 描述了用于提供可在磁器件中使用的磁性结的方法和系统。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。非磁间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层具有磁各向异性，该磁各向异性的至少一部分是双轴各向异性。磁性结被配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁状态之间转换。

公开(公告)号：CN102893332A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024160.4

申请日：2011-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·沃莱吉

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/10

Abstract: 一种磁性层，其包括至少包含钽的种子层和至少包含铁的自由磁性层。所述自由磁性层生长在所述种子层的顶上且所述自由磁性层为垂直磁化的。所述磁性层可包括在磁隧道结（MTJ）叠层中。

公开(公告)号：CN102456830A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110352579.4

申请日：2011-11-01

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 丁元俊 ,  Y·郑 ,  Z·高

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01F10/3254 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元，其包括：铁磁自由层；具有至少约厚度的增强层；氧化物阻挡层；以及铁磁基准层，其中所述增强层和所述氧化物阻挡层位于所述铁磁基准层和铁磁自由层之间，且所述氧化物阻挡层相邻于所述铁磁基准层，且其中所述铁磁自由层、所述铁磁基准层和所述增强层均具有平面外的磁化方向。

公开(公告)号：CN102105933A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128574.4

申请日：2009-07-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤贤治 ,  田中努 ,  西桥勉 ,  森田正 ,  渡边一弘

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/65 ,  G11B5/673 ,  G11B5/855 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30

CPC classification number: G11B5/855 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/009 ,  H01F10/3295

Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

公开(公告)号：CN1222054C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01804614.2

申请日：2001-11-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古川昭夫 ,  柿原芳彦

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01F10/32

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

Abstract: 提供一种磁致电阻效应型磁头及其制造方法，其中，具有叠层结构部，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的由软磁性材料构成的自由层(4)、由强磁性材料构成的钉扎层(6)、钉扎该钉扎层(6)的磁化的反强磁性层(7)、夹在上述自由层(4)和上述钉扎层(6)之间的间隔层(5)即非磁性导电层或隧道阻挡层层叠而成。该叠层结构部中，在其层叠方向上形成由至少分别覆盖了自由层、非磁性导电层或隧道阻挡层和钉扎层的一平面连续的一曲面构成的相对置的侧面。由此可以选定可使来自硬磁性层的磁场确实稳定自由层(4)的磁化的位置关系，且各层的宽度基本上是同一图案，可以实现高灵敏度和制造的简化。

公开(公告)号：CN1551107A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410031898.5

申请日：2004-03-31

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 欧内斯托·E·马里内罗

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/14 ,  H01F41/30

Abstract: 本发明公开了具有硬偏磁结构的读磁头。用于读磁头的一种硬偏磁结构包括一个由CrMo构成的晶种层，一个在晶种层上面、由CoPt构成的硬偏磁层，以及晶种层下面的一个传导层。为了在提高该结构的磁矫顽力时降低其阻抗，在传导层和晶种层之间配置了由Ta构成的第一过渡层和由CoPt构成的第二过渡层。

公开(公告)号：CN1499520A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN03152518.0

申请日：2003-08-01

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： M·沙马 ,  J·H·尼克尔

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/12

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303

Abstract: 本发明披露了一种磁阻元件的铁磁层(316)，其包括晶体铁磁子层(316b)和非晶体铁磁子层(316a)。

公开(公告)号：CN1112675C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN99100206.7

申请日：1999-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  广田荣一 ,  川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。

公开(公告)号：CN1409297A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02152912.4

申请日：2002-07-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 星屋裕之 ,  添谷进 ,  目黑贤一

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 现有技术中用金属磁性膜制成的磁阻多层膜不能提供足够的再现输出能力。厚度为10nm或更薄的高极化率层做为与非磁性中间层界面相接触的富Fe的Fe－O层形成，再把所得到的层进行热处理形成铁磁Fe－O层的多层膜，从而获得有高磁阻的磁阻元件。

公开(公告)号：CN1102283C

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN98105893.0

申请日：1998-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤雅重 ,  小林和雄 ,  菊地英幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/332 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  Y10S148/118

Abstract: 一种铁磁性隧道结磁传感器，它包括一个第一铁磁性层，一个形成于前述第一铁磁性层之上的并在其中包括一层隧道氧化膜的绝缘阻挡层和一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层，其中，前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层，前述隧道氧化膜由构成前述金属层的金属元素的氧化物组成，并且，该绝缘阻挡层的厚度约为1.7nm或更小，但大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。