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公开(公告)号：CN101918817B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880125148.0
申请日：2008-12-17
Applicant: 生命技术公司
Inventor： 张玉中
CPC classification number: G01N21/91 , G01N21/643 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N2021/646 , G01N2021/8427
Abstract: 亲脂荧光物质可用于检测具有亲水(例如无机)涂层的材料中的表面缺陷。所记载方法的使用使得表面缺陷表现为荧光性，而其余的表面未被标记。所公开的方法是现有途径的廉价、快速且易用的替代方案。
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公开(公告)号：CN103080730A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041790.2
申请日：2011-02-15
Applicant: 瓦伊系统有限公司
Inventor： Y·拉克鲁瓦
CPC classification number: G01N21/6408 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N2021/1719 , G01R31/2656 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够测定半导体等材料内的载流子寿命的载流子寿命的测定方法以及测定装置。针对由发光激光器发出的连续光通过激励侧的调制装置进行调制，生成其强度矩形波状地变化的激励光（14）并提供给半导体材料。针对半导体内的载流子被激励而通过再结合发出的冷光（24），通过受光侧的调制装置进行调制，从在激励时间内发出的光，分离在激励时间之后发生的衰减光（26）。该衰减光（26）包含材料内的载流子寿命的信息。衰减光（26）是在极其短的时间内得到的微细的光，所以在CCD元件的曝光时间内，积蓄多个衰减光（26）而探测。能够通过该探测光的强度得知载流子寿命。
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公开(公告)号：CN103000756A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210356786.1
申请日：2008-09-01
Applicant: BT成像股份有限公司
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/8887 , H01L31/18
Abstract: 光生伏打电池制造。本发明公开了一种制造至少一个半导体光生伏打电池或模块以及用于对半导体材料进行分类的方法（300）。所述方法涉及到在所述制造工艺的多个阶段（312－324）当中的每一个阶段对晶片进行发光成像，以及把获得自关于相同晶片的所述成像步骤的至少两个图像进行比较以便识别出制造工艺引发的瑕疵的发生或增大。如果所识别出的工艺引发的瑕疵超出预定的可接受度水平，则从所述制造工艺（310）中移除（351－356）所述晶片，或者可以补救所述缺陷或者将所述晶片传递到其他制造工艺以匹配其特性。
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公开(公告)号：CN102144284A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134896.X
申请日：2009-08-18
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 托尔斯滕·特鲁普克 , 罗伯特·A·巴尔多什 , 伊恩·安德鲁·马克斯韦尔 , 于尔根·韦伯
IPC: H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/62 , G01R31/265
CPC classification number: G01N21/6489 , H01L27/14603 , H01L27/14625 , H02S50/10
Abstract: 本发明提出了多种用于确定太阳能电池或太阳能电池前体的旁路电阻的指标的方法。这些方法涉及将至少一个低强度照射施加给电池或前体以产生光致发光，检测产生的光致发光电平，以及根据检测到的光致发光电平来计算太阳能电池的旁路电阻的可能水平。优选的方法适用于在太阳能电池制造期间在线测量样品，从而能够采取大量纠正措施或者补救措施。本发明还提出了多种在太阳能电池制造中监视边缘隔离工艺的方法。可以采用锁定技术从光致发光信号中对噪声进行过滤。
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公开(公告)号：CN102017191A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115002.2
申请日：2009-03-31
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 托尔斯滕·特鲁普克 , 罗伯特·A·巴尔多什
CPC classification number: G01N21/63 , G01N21/6489 , G01N21/9505 , G01N2021/646 , G01N2033/0095 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H02S50/10 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种方法(1)，其中从原切割或经部分处理的诸如多晶硅晶片之类的带隙材料中捕获(2)发光图像。这些图像随后被处理(3)，以提供与带隙材料中的诸如位错之类的缺陷有关的信息。所得到的信息随后被利用(4)来预测由该带隙材料制成的太阳能电池的各种关键参数，例如开路电压和短路电流。该信息还被用来对带隙材料进行分类。该方法还可用来调节或评估诸如退火之类的旨在降低带隙材料中的缺陷密度的附加处理步骤的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101384725A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005698.4
申请日：2007-02-13
Applicant: 非奥公司
Inventor： 迈克尔·莫尔丹森·格林伯格 , 沃伦·谢·沃·尚 , 凯文·查尔斯·卡因
IPC: C12Q1/04 , C12M1/34 , C12Q1/68 , C12Q1/70 , G01N33/53 , G01N33/569 , G01N33/58 , G01N21/25 , G01N21/27
CPC classification number: G01N21/6489 , B82Y15/00 , C12Q1/04 , G01N33/569 , G01N33/588 , Y02A50/53 , Y02A50/58 , Y02A90/26
Abstract: 本发明提供了用于在患者样品中同时检测和鉴定多种病原体的方法和系统。样品结合于微珠，其已注射有量子点或荧光染料并共轭于病原体特异性生物识别分子，如抗体和寡核苷酸。治疗选择可以基于在样品中检测到的病原体的同一性来确定。
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公开(公告)号：CN1776887A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510004812.4
申请日：2005-01-27
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 河口裕介
CPC classification number: G01N21/6489 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供能够在基板上平坦且杂质分布均匀地生长化合物半导体层的III－V族氮化物系半导体基板，以及能够在短时间简便地评价是否为能够在基板上平坦且杂质分布均匀地生长化合物半导体层的基板的评价方法。其采用如下方案：在自立的III－V族氮化物系半导体基板的表面的任意位置测定光致发光，假定该频带端峰的发光强度为N1、假定对应于所述测定位置的同一基板上的背面侧的频带端峰的发光强度为N2时，当其强度比α＝N1/N2为α＜1时作为合格品III－V族氮化物系半导体基板。
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公开(公告)号：CN1233030C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN01820190.3
申请日：2001-10-05
Applicant: AOTI营运有限公司
Inventor： 维克托·希格斯
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N21/9501
Abstract: 本发明描述了一种检测晶片结构金属污染的方法，包括以下步骤：根据所探测的晶片结构的不同平面设定不同的激光波长；将所述结构或结构的一部分暴露于一所述激光器激发的激光束中；通过频率发生器使不同波长的激光与检测器同步；所述检测器以PL图的形式收集不同波长下所述结构发出的光；根据所述检测器收集的不同波长下所述结构发出的光判断所述结构的不同平面是否受到金属污染；没有受到金属污染的平面，所述结构所提供的PL亮度是均匀的；在受到金属污染的平面，出现PL亮度较大的区域。该方法可特别应用于在制产品质量控制或对如同互连之类的加工好的结构进行质量控制。
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公开(公告)号：CN1620601A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02810537.0
申请日：2002-03-27
Applicant: AOTI营运有限公司
Inventor： V·希格斯
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/55 , G01N21/9501
Abstract: 本发明描述了在硅或半导体结构中的缺陷检测和分类的方法和设备，特别使用室温光致发光效应对此结构中的缺陷检测和分类的方法和设备。该方法包括把一束高强度光束引至待测硅或半导体结构的样品的表面以产生光致发光图象；产生一反射光图象；把两个图象中的信息加以组合，以检测、标绘和识别硅或半导体结构中的微缺陷和/或说明其特征。
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公开(公告)号：CN105675555B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610004485.0
申请日：2007-05-04
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64 , G01N21/66 , G01N21/956
CPC classification number: H02S50/15 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L31/022425
Abstract: 本发明涉及利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
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