形成凸出结构的方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102779835B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201110340045.X

    申请日:2011-11-01

    Abstract: 本发明公开了一种形成在基材上,具有小于传统光刻技术的极小尺寸的立方体凸出结构的方法。首先,提供一基材,与位于基材上的多个倾斜结构。多个倾斜结构包含一第一材料,并且彼此相隔一预定距离。其次,形成包含第二材料的目标层,以覆盖基材与倾斜结构,而且第一材料与第二材料各不相同。然后,进行一刻蚀步骤,以部分移除目标层,而暴露出倾斜结构。再来,进行一修整步骤,以完全移除倾斜结构并部分移除目标层,而形成凸出物。凸出物具有一圆角、一垂直侧壁、一凸出宽度与一凸出长度的一凸出物,其中目标层较倾斜结构更容易在刻蚀步骤中被刻蚀,而且凸出宽度与凸出长度其中的至少一者不大于33nm。

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