公开(公告)号：CN118938543A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410519654.9

申请日：2024-04-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑文九 ,  金珉浩 ,  沈承焕 ,  李炳宇

IPC: G02F1/13357

Abstract: 本发明公开了显示设备。本发明的显示设备可以包括：显示面板；框架，位于所述显示面板的后方，与所述显示面板结合；复数个基板，位于所述显示面板和所述框架之间，结合于所述框架；复数个光源，位于复数个所述基板上；以及扩张板，具有驱动芯片，沿与复数个所述基板交叉的方向延伸，与复数个所述基板结合。

公开(公告)号：CN103943710B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410025785.8

申请日：2014-01-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 尹银彗 ,  朴相昱 ,  沈承焕 ,  李有真

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547

Abstract: 讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。

公开(公告)号：CN103325860B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。

公开(公告)号：CN104934486A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510116774.5

申请日：2015-03-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电型区域，该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；电极，该电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及钝化层，该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：CN104810416A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510045391.3

申请日：2015-01-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域；位于所述至少一个导电型区域上的保护层；以及电极，该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。

公开(公告)号：CN102456755B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110391311.1

申请日：2011-10-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金真阿 ,  南正范 ,  郑寅道 ,  梁周弘 ,  崔亨旭 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。