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公开(公告)号：CN103325860A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310086279.5
申请日：2013-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943710B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410025785.8
申请日：2014-01-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/547
Abstract: 讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。
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公开(公告)号：CN103325860B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310086279.5
申请日：2013-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。
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公开(公告)号：CN105322042B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510445897.3
申请日：2015-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN105322042A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510445897.3
申请日：2015-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0682 , H01L31/03529
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN103943710A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410025785.8
申请日：2014-01-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/547
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。
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