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公开(公告)号：CN103515477A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310168313.3
申请日：2013-05-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。
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公开(公告)号：CN105390558B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681648B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410709226.9
申请日：2014-11-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
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公开(公告)号：CN105390558A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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公开(公告)号：CN105304749A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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公开(公告)号：CN102290453B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN104681648A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410709226.9
申请日：2014-11-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
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