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公开(公告)号：CN103000743A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110409801.X
申请日：2011-12-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352
Abstract: 一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：基板；多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，其中一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，其中一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元。在位于同一层的光伏单元当中，所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。
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公开(公告)号：CN102549768A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080041871.8
申请日：2010-09-17
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李圣恩
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , Y02E10/547 , Y10T29/49355
Abstract: 讨论了一种太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：多个背接触式太阳能电池；互连接件，所述互连接件位于所述多个背接触式太阳能电池的背面上并且将相邻的背接触式太阳能电池彼此电连接；上保护层和下保护层，所述上保护层和所述下保护层用于保护所述多个背接触式太阳能电池；透明构件，所述透明构件位于在所述多个背接触式太阳能电池的光接收表面上的所述上保护层上；和背板，所述背板位于在所述多个背接触式太阳能电池的与所述光接收表面相背对的表面上的所述下保护层下。所述上保护层和所述下保护层由不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN103681953B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310373378.1
申请日：2013-08-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L21/02054 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。
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公开(公告)号：CN102593204B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210004842.5
申请日：2012-01-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
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公开(公告)号：CN102113131B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980129536.0
申请日：2009-06-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102576756A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080041876.0
申请日：2010-09-17
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李圣恩
IPC: H01L31/042 , H01L23/48 , H01L31/0216 , H01L21/60
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0481 , H01L31/049 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/18 , Y02E10/547 , Y10T29/49355
Abstract: 讨论了一种太阳能电池模块及其制造方法。该太阳能电池模块包括多个太阳能电池、被构造为将多个太阳能电池中的相邻太阳能电池彼此电连接的互连件、被构造为保护多个太阳能电池的保护层、位于多个太阳能电池的光接收表面上的透明组件以及位于多个太阳能电池的光接收表面的反侧的背板。互连件包括在互连件和相邻太阳能电池的电极部分之间的连接部分中的孔。
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公开(公告)号：CN102113131A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129536.0
申请日：2009-06-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。
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公开(公告)号：CN103367478B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310015979.5
申请日：2013-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/186 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：由n型晶体半导体形成的基板；位于基板的第一表面的p型发射极区；位于基板的与第一表面相反的第二表面上的第一介电层；分别位于发射极区和第一介电层上的第二介电层；位于在所述发射极区上的第二介电层上的第三介电层；位于基板的第一表面上并与发射极区连接的第一电极；和位于基板的第二表面上并与基板连接的第二电极。
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公开(公告)号：CN102549768B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201080041871.8
申请日：2010-09-17
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李圣恩
IPC: H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , Y02E10/547 , Y10T29/49355
Abstract: 讨论了一种太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：多个背接触式太阳能电池；互连接件，所述互连接件位于所述多个背接触式太阳能电池的背面上并且将相邻的背接触式太阳能电池彼此电连接；上保护层和下保护层，所述上保护层和所述下保护层用于保护所述多个背接触式太阳能电池；透明构件，所述透明构件位于在所述多个背接触式太阳能电池的光接收表面上的所述上保护层上；和背板，所述背板位于在所述多个背接触式太阳能电池的与所述光接收表面相背对的表面上的所述下保护层下。所述上保护层和所述下保护层由不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN103137792A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210226275.8
申请日：2012-06-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/20 , H01L31/0352 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0376 , H01L25/042 , H01L27/142 , H01L31/022425 , H01L31/04 , H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。根据本发明一种实施方式的制造太阳能电池的方法包括：制备具有第一导电类型杂质的半导体基板；将预非晶化元素离子注入到半导体基板的正面以形成非晶层；以及通过将第二导电类型杂质离子注入到半导体基板的正面形成发射层。该方法还包括用于激活第二导电类型杂质而对层的热处理。该方法还包括通过离子注入第一导电类型杂质，在半导体基板的背面处形成背面场层。
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